| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-24页 |
| 1.1 HfO_2基高-k薄膜材料及其在半导体工业中应用现状 | 第10-11页 |
| 1.2 HfO_2基铁电薄膜的研究现状及应用前景 | 第11-14页 |
| 1.2.1 HfO_2基铁电薄膜的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 HfO_2基铁电薄膜的应用前景 | 第13-14页 |
| 1.3 Y掺杂HfO_2铁电薄膜的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4. Y：HfO_2纳米薄膜相变 | 第15-18页 |
| 1.4.1 Y掺杂对薄膜立方或四方相的稳定作用 | 第15-17页 |
| 1.4.2 薄膜的厚度对Y：HfO_2薄膜相变影响 | 第17-18页 |
| 1.5 HfO_2基薄膜制备方法 | 第18-23页 |
| 1.5.1 原子层沉积法(ALD) | 第19-20页 |
| 1.5.2 物理气相沉积法(PVD) | 第20页 |
| 1.5.3 金属有机物热分解(MOD) | 第20页 |
| 1.5.4 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第20-21页 |
| 1.5.5 溶胶-凝胶法制备薄膜的优缺点 | 第21-22页 |
| 1.5.6 溶胶-凝胶法选择 | 第22-23页 |
| 1.6 本论文的研究目的及内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验部分 | 第24-36页 |
| 2.1 钇掺杂氧化铪溶胶制备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验原料和仪器 | 第24页 |
| 2.1.2 钇掺杂氧化铪溶胶配制步骤 | 第24-26页 |
| 2.2 Y：HfO_2薄膜及电容器制备 | 第26-30页 |
| 2.2.1 基片清洗步骤 | 第26-27页 |
| 2.2.2 旋涂法制备钇掺杂氧化铪薄膜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 钇掺杂氧化铪薄膜电容器的制备 | 第28-30页 |
| 2.3 测试分析方法 | 第30-36页 |
| 2.3.1 实验仪器 | 第30页 |
| 2.3.2 溶胶性质测试分析 | 第30-32页 |
| 2.3.3 钇掺杂氧化铪薄膜微观结构及性能测试分析 | 第32-35页 |
| 2.3.4 钇掺杂氧化铪薄膜电学性能测试分析 | 第35-36页 |
| 第三章 Y：HfO_2溶胶及润湿性 | 第36-42页 |
| 3.1 Y：HfO_2溶胶形成化学机理 | 第36-37页 |
| 3.2 胶体溶解速度探讨 | 第37-38页 |
| 3.3 凝胶热重曲线及差示扫描量热法分析 | 第38-40页 |
| 3.4 基片处理方式及温度对润湿性影响分析 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 Y：HfO_2薄膜微观性能表征 | 第42-52页 |
| 4.1 薄膜厚度测量分析 | 第42-44页 |
| 4.2 薄膜密度和表面粗糙度模拟分析 | 第44-45页 |
| 4.3 薄膜成分及化合态分析 | 第45-47页 |
| 4.4 薄膜相变分析 | 第47-51页 |
| 4.4.1 温度及Y含量对薄膜相变影响 | 第47-49页 |
| 4.4.2 薄膜厚度对Y：HfO_2薄膜相变影响 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 Y：HfO_2薄膜电容器制备及电学性能测量 | 第52-57页 |
| 5.1 电容器制备及电学性能测量原理 | 第52-53页 |
| 5.2 不同溶胶浓度制备的薄膜电学性能测试 | 第53-54页 |
| 5.3 不同镀膜周期制备的薄膜电学性能测试 | 第54-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
