| 中文摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-41页 |
| 1.1 硅片中间隙氧和代位碳含量测量 | 第15-27页 |
| 1.1.1 传统IR法测量原理 | 第16-21页 |
| 1.1.1.1 硅中的间隙氧和氧碳吸收峰 | 第17-18页 |
| 1.1.1.2 传统IR法测试影响因素分析 | 第18-20页 |
| 1.1.1.3 现行国内与国外IR法测量硅片中氧碳含量标准 | 第20页 |
| 1.1.1.4 低温红外 | 第20-21页 |
| 1.1.2 对薄硅片的IR测量 | 第21-24页 |
| 1.1.3 多重透射-反射(MTR-IR)红外光谱法测量多晶硅中代位碳和间隙氧含量 | 第24-26页 |
| 1.1.4 MTR-IR法 | 第26-27页 |
| 1.2 硅表面图案化技术 | 第27-34页 |
| 1.2.1 基于模型工艺的硅表面图案化技术 | 第28页 |
| 1.2.2 基于嵌段共聚物的硅表面刻蚀图案化技术 | 第28-34页 |
| 1.3 本论文的目标和任务 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 第二章 MTR-IR法和IR法测量太阳能电池单晶硅片、较薄硅片、多晶硅片中间隙氧与代位碳含量的比较研究 | 第41-79页 |
| 2.1 引言 | 第41-42页 |
| 2.2 原理/计算 | 第42-59页 |
| 2.2.1 MTR-IR和IR法计算模型的比较 | 第42-45页 |
| 2.2.1.1 IR法 | 第42-43页 |
| 2.2.1.2 布儒斯特角单次透射 | 第43页 |
| 2.2.1.3 MTR-IR法 | 第43-45页 |
| 2.2.2 MTR-IR和IR法的理论比较 | 第45-56页 |
| 2.2.2.1 采样长度、采样点数量、放大倍数 | 第45-46页 |
| 2.2.2.2 布儒斯特角的减干涉作用 | 第46-48页 |
| 2.2.2.3 积分球的消除干涉作用 | 第48-50页 |
| 2.2.2.4 MTR-IR法中S偏振光薄硅片干涉图谱的模拟与计算 | 第50-55页 |
| 2.2.2.5 p偏振光吸收峰比s偏振光吸收峰高的原因分析 | 第55-56页 |
| 2.2.3 N值计算误差分析 | 第56-59页 |
| 2.3 实验部分 | 第59-62页 |
| 2.3.1 方法和材料 | 第59-60页 |
| 2.3.2 仪器参数 | 第60页 |
| 2.3.3 数据计算 | 第60-62页 |
| 2.3.3.1 代位碳的计算过程 | 第60-61页 |
| 2.3.3.2 间隙氧的计算过程 | 第61-62页 |
| 2.4 结果和讨论 | 第62-76页 |
| 2.4.1 MTR-IR和IR法的单晶硅片红外光谱的比较 | 第62-68页 |
| 2.4.2 较薄硅片中碳氧含量的计算 | 第68-72页 |
| 2.4.3 多晶硅中代位碳和间隙氧含量的MTR-IR法和IR法的测量比较研究 | 第72-76页 |
| 2.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第三章 基于PS-B-P4VP和PS-B-P2VP模版在硅片表面进行高分子刷PMAA、HEMA、PMMA、PNIPAM阵列及PMAA线状及指纹状图案化研究 | 第79-101页 |
| 3.1 引言 | 第79-81页 |
| 3.2 实验部分 | 第81-84页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第81-82页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第82页 |
| 3.2.3 实验步骤 | 第82-84页 |
| 3.2.3.1 硅片的清洗 | 第82-83页 |
| 3.2.3.2 聚合物模版的制备 | 第83页 |
| 3.2.3.3 PS-b-P4VP的沉积和腐蚀方法 | 第83页 |
| 3.2.3.4 PS-b-P2VP的沉积、溶剂蒸汽加热、金属沉积、腐蚀 | 第83页 |
| 3.2.3.5 引发剂2-溴-2-甲基丙酸-10'-十一烯酯的合成 | 第83页 |
| 3.2.3.6 表面氢化硅烷化和表面引发剂的引入 | 第83页 |
| 3.2.3.7 聚合物刷的制备 | 第83-84页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第84-97页 |
| 3.3.1 通过旋涂制备PS-6-P4VP(109000,27000)阵列和利用PS-6-P4VP双嵌段共聚物做模版制备Si-H_x坑阵列 | 第84-85页 |
| 3.3.2 通过在Si-H_x坑内ATRP反应制备PMAA聚合物刷阵列 | 第85-87页 |
| 3.3.3 在Si-H_x坑内通过ATRP反应制备HEMA聚合物刷阵列 | 第87-88页 |
| 3.3.4 在Si-H_x坑内通过ATRP反应制备PMMA聚合物刷阵列 | 第88-89页 |
| 3.3.5 在Si-H_x坑内通过ATRP反应制备PNIPAM聚合物刷阵列 | 第89-90页 |
| 3.3.6 大分子量PS-b-P4VP (300000,170000)作模版制备PMAA聚合物刷阵列 | 第90-93页 |
| 3.3.7 用PS-b-P2VP作模版制备PMAA线条和指纹状图案 | 第93-97页 |
| 3.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第四章 总结与展望 | 第101-103页 |
| 4.1 全文总结 | 第101-102页 |
| 4.2 工作展望 | 第102-103页 |
| 待发表论文 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 附录 | 第105-122页 |
