| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-16页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第16-19页 |
| 1.2.1 宽带功率放大器的研究动态 | 第16-18页 |
| 1.2.2 多带功率放大器的研究动态 | 第18-19页 |
| 1.3 功率放大器的评价指标 | 第19-21页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 功率放大器效率提升技术 | 第23-80页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 50%占空比信号下的次定逆E类功率放大器 | 第24-38页 |
| 2.2.1 基本设计方程 | 第26-29页 |
| 2.2.2 电路元件取值范围探讨 | 第29-35页 |
| 2.2.3 晶体管寄生参数对电路性能的影响 | 第35-38页 |
| 2.3 任意占空比信号下的次定逆E类功率放大器 | 第38-56页 |
| 2.3.1 电路性能及元件的求解 | 第39-43页 |
| 2.3.2 电路元件对电路性能的影响 | 第43-49页 |
| 2.3.3 开关电压和开关电流 | 第49-51页 |
| 2.3.4 晶体管寄生参数对电路性能的影响 | 第51-53页 |
| 2.3.5 MMIC仿真实例 | 第53-56页 |
| 2.4 晶体管寄生并联电容对次定逆E类功率放大器性能的影响 | 第56-62页 |
| 2.5 漏极电流时延对次定E类功率放大器的影响 | 第62-68页 |
| 2.6 次定条件下连续E类功率放大器 | 第68-78页 |
| 2.6.1 基本设计方程 | 第70-71页 |
| 2.6.2 基波及二次谐波分析 | 第71-73页 |
| 2.6.3 设计公式总结 | 第73-74页 |
| 2.6.4 归一化开关电流和开关电压分析 | 第74页 |
| 2.6.5 晶体管内阻对次定连续E类功率放大器效率的影响 | 第74-75页 |
| 2.6.6 次定连续E类功率放大器的输出功率比 | 第75-77页 |
| 2.6.7 次定连续E类功率放大器的阻抗 | 第77-78页 |
| 2.7 小结 | 第78-80页 |
| 第三章 宽带高效率功率放大器 | 第80-112页 |
| 3.1 引言 | 第80-81页 |
| 3.2 基于电抗补偿技术的宽带次定逆E类功率放大器 | 第81-84页 |
| 3.2.1 电抗补偿扩展带宽的基本原理 | 第82-83页 |
| 3.2.2 次定逆E类功率放大器电抗补偿方法 | 第83-84页 |
| 3.3 晶体管电流源产生端面电流电压波形仿真法 | 第84-87页 |
| 3.4 扩展的连续F类功率放大器 | 第87-100页 |
| 3.4.1 连续F类功率放大器 | 第87-94页 |
| 3.4.2 连续F类功率放大器带宽的扩展 | 第94页 |
| 3.4.3 输出和输入阻抗匹配网络设计 | 第94-98页 |
| 3.4.3.1 改进的粒子群优化算法 | 第95-96页 |
| 3.4.3.2 输出匹配网络设计 | 第96-98页 |
| 3.4.3.3 输入匹配网络设计 | 第98页 |
| 3.4.4 仿真和实验 | 第98-100页 |
| 3.5 基于损耗最小的切比雪夫宽带匹配技术 | 第100-111页 |
| 3.5.1 损耗最小的切比雪夫匹配理论 | 第102-104页 |
| 3.5.2 基于损耗最小的切比雪夫匹配理论的设计实例 | 第104-110页 |
| 3.5.3 实验验证 | 第110-111页 |
| 3.6 小结 | 第111-112页 |
| 第四章 双带及三带功率放大器 | 第112-139页 |
| 4.1 引言 | 第112-113页 |
| 4.2 从复数源阻抗到复数负载阻抗的双带阻抗变换器 | 第113-118页 |
| 4.2.1 双带阻抗变换器的参数设计 | 第113-117页 |
| 4.2.2 数值仿真验证 | 第117-118页 |
| 4.3 多带阻抗变换器设计的一般方法 | 第118-120页 |
| 4.4 双带功率放大器设计 | 第120-127页 |
| 4.4.1 谐波控制的高效率功率放大器设计原理 | 第121-124页 |
| 4.4.2 双带功率放大器的设计原理 | 第124-126页 |
| 4.4.3 双带功率放大器的实现及性能 | 第126-127页 |
| 4.5 三带功率放大器设计 | 第127-136页 |
| 4.5.1 三带功率放大器设计思路 | 第129-130页 |
| 4.5.2 输入和输出匹配网络优化方法 | 第130-133页 |
| 4.5.3 三带功率放大器的测试结果 | 第133-136页 |
| 4.6 基于分数阶器件的多带阻抗变换器简介 | 第136-137页 |
| 4.7 小结 | 第137-139页 |
| 第五章 总结和展望 | 第139-142页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第139-140页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-159页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第159-161页 |
