| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 GaN基LED的特性及制备 | 第9-11页 |
| 1.1.1 GaN基LED的特性 | 第9-10页 |
| 1.1.2 GaN基LED的制备 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN外延片电子束辐照效应 | 第11-13页 |
| 1.3 电子束辐照GaN外延片研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第14-17页 |
| 第二章 电子束辐照GaN基LED的能量沉积研究 | 第17-29页 |
| 2.1 LED多层结构的电子能量沉积模拟 | 第17-23页 |
| 2.1.1 电子传输效率 | 第18-19页 |
| 2.1.2 电离能量损失 | 第19-22页 |
| 2.1.3 多层介质中的能量沉积 | 第22-23页 |
| 2.2 电子束能量沉积分布的蒙特卡洛模拟 | 第23-27页 |
| 2.2.1 蒙特卡洛模拟方法简介 | 第23页 |
| 2.2.2 能量沉积仿真分析 | 第23-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 电子束辐照GaN材料的性能模拟和分析 | 第29-49页 |
| 3.1 第一性原理理论基础 | 第29-31页 |
| 3.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第29-30页 |
| 3.1.2 密度泛函理论 | 第30-31页 |
| 3.1.3 CASTEP软件介绍 | 第31页 |
| 3.2 GaN材料第一性原理计算方法 | 第31-33页 |
| 3.3 本征GaN晶体的性能计算 | 第33-36页 |
| 3.3.1 GaN结构的理论模型建立 | 第33页 |
| 3.3.2 本征GaN的性能分析 | 第33-36页 |
| 3.4 由缺陷引起的GaN晶体性能变化计算 | 第36-46页 |
| 3.4.1 含点缺陷的GaN晶体性能分析 | 第36-42页 |
| 3.4.2 含复合体缺陷的GaN晶体性能分析 | 第42-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 InGaN材料的性能模拟和分析 | 第49-55页 |
| 4.1 InGaN结构的理论模型建立 | 第49-50页 |
| 4.2 InGaN材料性能分析 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 电子辐照影响GaN基LED发光性能分析 | 第55-61页 |
| 5.1 GaN基LED辐照条件与发光性能分析方法 | 第55-56页 |
| 5.2 1.5MeV辐照引起GaN基LED外延片发光性能变化 | 第56-57页 |
| 5.3 辐照后InGaN量子阱结构的室温PL谱分析 | 第57-58页 |
| 5.4 辐照后InGaN量子阱结构的变温PL谱分析 | 第58-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-65页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
