| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 PWM DC/DC变换器存在的缺陷 | 第11-12页 |
| 1.3 谐振DC/DC变换器的优缺点 | 第12-16页 |
| 1.3.1 串联谐振变换器 | 第13-14页 |
| 1.3.2 并联谐振变换器 | 第14-15页 |
| 1.3.3 LLC谐振变换器 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 GaN器件特性及其驱动电路研究 | 第18-32页 |
| 2.1 概述 | 第18-19页 |
| 2.2 GaN FET器件结构分析 | 第19-20页 |
| 2.3 GaN FET与SI MOSFET的特性比较分析 | 第20-21页 |
| 2.4 GaN FET器件的驱动电路 | 第21-27页 |
| 2.4.1 电容分压式驱动电路 | 第23-24页 |
| 2.4.2 有源放电式驱动电路 | 第24-27页 |
| 2.4.3 改进型有源放电式驱动电路 | 第27页 |
| 2.5 GaN半桥评估板驱动及实验分析 | 第27-31页 |
| 2.5.1 GaN器件的脉冲测试电路 | 第28页 |
| 2.5.2 GaN器件的驱动实验波形 | 第28-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 基于GaN器件的LLC谐振变换器工作原理 | 第32-41页 |
| 3.1 概述 | 第32页 |
| 3.2 基于GaN器件的LLC谐振变换器主电路拓扑 | 第32-33页 |
| 3.3 基于GaN器件的LLC谐振变换器工作原理 | 第33-40页 |
3.3.1 f_m| 第33-37页 | |
| 3.3.2 f_s>f_r工作模态分析 | 第37-39页 |
| 3.3.3 f_s=f_r工作模态分析 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于GaN器件的LLC谐振变换器建模及控制 | 第41-54页 |
| 4.1 概述 | 第41页 |
| 4.2 基于GaN器件的LLC谐振变换器的建模 | 第41-50页 |
| 4.2.1 基于GaN器件的LLC谐振变换器的直流特性增益 | 第41-44页 |
| 4.2.2 电路参数对变换器直流特性增益的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.3 基于GaN的LLC谐振变换器工作区域的划分 | 第47-48页 |
| 4.2.4 基于GaN器件的LLC谐振变换器原边开关实现ZVS的条件 | 第48-50页 |
| 4.3 基于GaN器件的半桥评估板的控制方法 | 第50-53页 |
| 4.3.1 控制电路电源输入 | 第50页 |
| 4.3.2 驱动信号输入电路 | 第50-51页 |
| 4.3.3 死区时间控制电路 | 第51-52页 |
| 4.3.4 半桥评估板门极控制驱动电路 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 基于GaN器件的LLC谐振变换器设计及仿真实验 | 第54-70页 |
| 5.1 概述 | 第54页 |
| 5.2 基于GaN器件的LLC谐振变换器的设计 | 第54-60页 |
| 5.2.1 谐振参数的设计 | 第54-57页 |
| 5.2.2 高频变压器的设计 | 第57-60页 |
| 5.3 基于GaN器件的LLC谐振变换器电路参数仿真验证 | 第60-65页 |
5.3.1 工作在fm| 第60-63页 | |
| 5.3.2 工作在fs>fr时的仿真波形 | 第63-64页 |
| 5.3.3 工作在fs=fr时的仿真波形 | 第64-65页 |
| 5.4 基于GaN器件的LLC谐振变换器的实验分析 | 第65-69页 |
5.4.1 工作在fm| 第66-67页 | |
| 5.4.2 工作在fs=fr时的实验波形 | 第67页 |
| 5.4.3 工作在fs>fr时的实验波形 | 第67-68页 |
| 5.4.4 变换器的效率分析 | 第68-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论及展望 | 第70-71页 |
| 1 结论 | 第70页 |
| 2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 附件 | 第78页 |
