（Al，Co）共掺杂ZnO薄膜制备与性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 引言 | 第8-12页 |
| 参考文献 | 第11-12页 |
| 第一章 ZnO的基本特性及应用 | 第12-24页 |
| ·ZnO薄膜晶体结构 | 第12页 |
| ·ZnO薄膜缺陷 | 第12-15页 |
| ·ZnO稀磁半导体掺杂 | 第15-16页 |
| ·Mn掺杂ZnO基DMS | 第16页 |
| ·Co掺杂ZnO基DMS | 第16页 |
| ·ZnO磁性半导体理论 | 第16-18页 |
| ·ZnO材料的应用 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备与表征方法 | 第24-34页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第24-26页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第24页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第25-26页 |
| ·磁控溅射 | 第26页 |
| ·ZnO薄膜的主要表征方法 | 第26-32页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第27-28页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第28-29页 |
| ·振动样品磁强计(VSM) | 第29-30页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第30-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 ZnAlCoO薄膜结构与性能研究 | 第34-48页 |
| ·实验过程 | 第34-36页 |
| ·不同沉积时间对薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
| ·ZnO层沉积时间为25分钟的薄膜的结构特性 | 第36-38页 |
| ·ZnO层沉积时间为45分钟的薄膜的结构特性 | 第38页 |
| ·薄膜的光学特性 | 第38-41页 |
| ·薄膜的磁学特性 | 第41-45页 |
| 本章参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 H退火对ZnAlCoO薄膜的影响 | 第48-57页 |
| ·实验过程 | 第48-49页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第49-51页 |
| ·薄膜的磁学特性 | 第51-52页 |
| ·薄膜的光学特性 | 第52-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第59页 |
