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硅纳米线可控掺杂及其肖特基二极管光电探测的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
致谢第9-15页
第一章 绪言第15-25页
    1.1 纳米材料与纳米技术第15-18页
        1.1.1 纳米材料与纳米技术的基本概念第15页
        1.1.2 纳米材料的分类与特性第15-18页
        1.1.3 纳米技术的应用第18页
    1.2 准一维纳米材料的合成第18-22页
        1.2.1 准一维纳米材料的气相合成方法第18-19页
        1.2.2 液相合成方法第19-20页
        1.2.3 自上至下的方法合成准一维纳米材料第20-22页
    1.3 纳米器件的简介第22-25页
第二章 硅纳米结构的合成及其应用第25-35页
    2.1 硅纳米结构的合成第25-30页
        2.1.1 化学气相沉积法第25-27页
        2.1.2 氧化物辅助法第27-28页
        2.1.3 激光烧蚀法第28页
        2.1.4 模板法第28-29页
        2.1.5 分子束外延法第29页
        2.1.6 金属辅助化学刻蚀法第29-30页
    2.2 硅纳米结构的应用第30-34页
        2.2.1 硅纳米线场效应晶体管第30-31页
        2.2.2 硅纳米结构太阳能电池第31-32页
        2.2.3 硅纳米线光电探测器第32页
        2.2.4 硅纳米线传感器第32-34页
    2.3 小结第34-35页
第三章 热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂第35-45页
    3.1 实验所需药品及设备第35-38页
    3.2 热蒸发SiO合成硅纳米线第38-39页
    3.3 硅纳米线的p型掺杂第39页
    3.4 硅纳米线的结构表征第39-43页
        3.4.1 X射线衍射(XRD)分析第40-41页
        3.4.2 扫描电子显微镜(SEM)分析第41-42页
        3.4.3 透射电子显微镜(TEM)分析第42-43页
    3.5 p型掺杂硅纳米线的电学性能表征第43-44页
    3.6 小结第44-45页
第四章 化学气相沉积法合成n/p型掺杂硅纳米线及其电输运特性研究第45-54页
    4.1 实验药品与实验设备第45-46页
        4.1.1 实验药品第45-46页
        4.1.2 实验设备第46页
    4.2 硼/磷掺杂硅纳米线的制备第46-48页
        4.2.1 硼/磷掺杂硅纳米线的制备第46-48页
    4.3 硼/磷掺杂硅纳米线的表征第48-53页
        4.3.1 硼/磷掺杂硅纳米线的形貌表征第48页
        4.3.2 硼/磷掺杂硅纳米线的电学表征第48-53页
    4.4 本章小结第53-54页
第五章 Ti/p-Si NW肖特基二极管的制备及光电特性研究第54-60页
    5.1 肖特基二极管制备第54-56页
    5.2 Ti/p-Si NW肖特基二极管的电学特性研究第56-57页
    5.3 Ti/p-Si NW肖特基二极管的光电特性的研究第57-59页
    5.4 本章小结第59-60页
第六章 总结第60-61页
参考文献第61-65页
攻读硕士学位期间发表论文情况第65页

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