摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
致谢 | 第9-15页 |
第一章 绪言 | 第15-25页 |
1.1 纳米材料与纳米技术 | 第15-18页 |
1.1.1 纳米材料与纳米技术的基本概念 | 第15页 |
1.1.2 纳米材料的分类与特性 | 第15-18页 |
1.1.3 纳米技术的应用 | 第18页 |
1.2 准一维纳米材料的合成 | 第18-22页 |
1.2.1 准一维纳米材料的气相合成方法 | 第18-19页 |
1.2.2 液相合成方法 | 第19-20页 |
1.2.3 自上至下的方法合成准一维纳米材料 | 第20-22页 |
1.3 纳米器件的简介 | 第22-25页 |
第二章 硅纳米结构的合成及其应用 | 第25-35页 |
2.1 硅纳米结构的合成 | 第25-30页 |
2.1.1 化学气相沉积法 | 第25-27页 |
2.1.2 氧化物辅助法 | 第27-28页 |
2.1.3 激光烧蚀法 | 第28页 |
2.1.4 模板法 | 第28-29页 |
2.1.5 分子束外延法 | 第29页 |
2.1.6 金属辅助化学刻蚀法 | 第29-30页 |
2.2 硅纳米结构的应用 | 第30-34页 |
2.2.1 硅纳米线场效应晶体管 | 第30-31页 |
2.2.2 硅纳米结构太阳能电池 | 第31-32页 |
2.2.3 硅纳米线光电探测器 | 第32页 |
2.2.4 硅纳米线传感器 | 第32-34页 |
2.3 小结 | 第34-35页 |
第三章 热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂 | 第35-45页 |
3.1 实验所需药品及设备 | 第35-38页 |
3.2 热蒸发SiO合成硅纳米线 | 第38-39页 |
3.3 硅纳米线的p型掺杂 | 第39页 |
3.4 硅纳米线的结构表征 | 第39-43页 |
3.4.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第40-41页 |
3.4.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第41-42页 |
3.4.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第42-43页 |
3.5 p型掺杂硅纳米线的电学性能表征 | 第43-44页 |
3.6 小结 | 第44-45页 |
第四章 化学气相沉积法合成n/p型掺杂硅纳米线及其电输运特性研究 | 第45-54页 |
4.1 实验药品与实验设备 | 第45-46页 |
4.1.1 实验药品 | 第45-46页 |
4.1.2 实验设备 | 第46页 |
4.2 硼/磷掺杂硅纳米线的制备 | 第46-48页 |
4.2.1 硼/磷掺杂硅纳米线的制备 | 第46-48页 |
4.3 硼/磷掺杂硅纳米线的表征 | 第48-53页 |
4.3.1 硼/磷掺杂硅纳米线的形貌表征 | 第48页 |
4.3.2 硼/磷掺杂硅纳米线的电学表征 | 第48-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-54页 |
第五章 Ti/p-Si NW肖特基二极管的制备及光电特性研究 | 第54-60页 |
5.1 肖特基二极管制备 | 第54-56页 |
5.2 Ti/p-Si NW肖特基二极管的电学特性研究 | 第56-57页 |
5.3 Ti/p-Si NW肖特基二极管的光电特性的研究 | 第57-59页 |
5.4 本章小结 | 第59-60页 |
第六章 总结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第65页 |