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新型材料中电声耦合性质研究

中文摘要第5-7页
英文摘要第7-8页
第一章 绪论第12-18页
    1.1 电声相互作用简介第12-13页
    1.2 新型材料研究进展第13-17页
        1.2.1 二维材料第13-15页
        1.2.2 富氢化合物第15-17页
    1.3 工作和论文结构第17-18页
第二章 理论基础第18-30页
    2.1 密度泛函理论第19-24页
        2.1.1 Thomas-Fermi理论第20-21页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第21页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第21-23页
        2.1.4 局域密度近似和广义梯度近似第23-24页
        2.1.5 平面波赝势方法第24页
    2.2 密度泛函微扰理论第24-29页
        2.2.1 基础理论第24-26页
        2.2.2 晶格动力学第26-28页
        2.2.3 电声耦合矩阵元第28-29页
    2.3 计算软件包简介第29-30页
第三章 单层二硫化钼的电子输运性质第30-46页
    3.1 引言第30-32页
    3.2 计算方法第32-38页
        3.2.1 玻尔兹曼输运理论第32-37页
        3.2.2 驰豫时间和迁移率计算第37-38页
    3.3 结果与讨论第38-45页
        3.3.1 电子能带结构和声子谱第38-40页
        3.3.2 电声耦合第40-42页
        3.3.3 载流子迁移率第42-45页
    3.4 小结第45-46页
第四章 单层黑磷的超导电性第46-60页
    4.1 引言第46-49页
    4.2 计算方法第49-52页
        4.2.1 BCS理论第50页
        4.2.2 McMillan公式及其修正第50-51页
        4.2.3 电声耦合和超导转变温度计算第51-52页
    4.3 结果与讨论第52-59页
        4.3.1 电子能带结构和声子谱第52-55页
        4.3.2 电声耦合第55-57页
        4.3.3 超导电性第57-59页
    4.4 小结第59-60页
第五章 高压下硫氢化合物的超导电性第60-76页
    5.1 引言第60-64页
    5.2 计算方法第64-65页
        5.2.1 强电声耦合体系超导电性计算第64页
        5.2.2 虚晶近似第64-65页
    5.3 结果与讨论第65-74页
        5.3.1 第VI主族元素替换第66-69页
        5.3.2 第V和VII主族元素替换第69-72页
        5.3.3 压强作用第72-74页
    5.4 本章小结第74-76页
第六章 总结与展望第76-78页
参考文献第78-94页
攻读学位期间发表论文与研究成果第94-96页
致谢第96-98页
作者简介第98页

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