新型材料中电声耦合性质研究
中文摘要 | 第5-7页 |
英文摘要 | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-18页 |
1.1 电声相互作用简介 | 第12-13页 |
1.2 新型材料研究进展 | 第13-17页 |
1.2.1 二维材料 | 第13-15页 |
1.2.2 富氢化合物 | 第15-17页 |
1.3 工作和论文结构 | 第17-18页 |
第二章 理论基础 | 第18-30页 |
2.1 密度泛函理论 | 第19-24页 |
2.1.1 Thomas-Fermi理论 | 第20-21页 |
2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21页 |
2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第21-23页 |
2.1.4 局域密度近似和广义梯度近似 | 第23-24页 |
2.1.5 平面波赝势方法 | 第24页 |
2.2 密度泛函微扰理论 | 第24-29页 |
2.2.1 基础理论 | 第24-26页 |
2.2.2 晶格动力学 | 第26-28页 |
2.2.3 电声耦合矩阵元 | 第28-29页 |
2.3 计算软件包简介 | 第29-30页 |
第三章 单层二硫化钼的电子输运性质 | 第30-46页 |
3.1 引言 | 第30-32页 |
3.2 计算方法 | 第32-38页 |
3.2.1 玻尔兹曼输运理论 | 第32-37页 |
3.2.2 驰豫时间和迁移率计算 | 第37-38页 |
3.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
3.3.1 电子能带结构和声子谱 | 第38-40页 |
3.3.2 电声耦合 | 第40-42页 |
3.3.3 载流子迁移率 | 第42-45页 |
3.4 小结 | 第45-46页 |
第四章 单层黑磷的超导电性 | 第46-60页 |
4.1 引言 | 第46-49页 |
4.2 计算方法 | 第49-52页 |
4.2.1 BCS理论 | 第50页 |
4.2.2 McMillan公式及其修正 | 第50-51页 |
4.2.3 电声耦合和超导转变温度计算 | 第51-52页 |
4.3 结果与讨论 | 第52-59页 |
4.3.1 电子能带结构和声子谱 | 第52-55页 |
4.3.2 电声耦合 | 第55-57页 |
4.3.3 超导电性 | 第57-59页 |
4.4 小结 | 第59-60页 |
第五章 高压下硫氢化合物的超导电性 | 第60-76页 |
5.1 引言 | 第60-64页 |
5.2 计算方法 | 第64-65页 |
5.2.1 强电声耦合体系超导电性计算 | 第64页 |
5.2.2 虚晶近似 | 第64-65页 |
5.3 结果与讨论 | 第65-74页 |
5.3.1 第VI主族元素替换 | 第66-69页 |
5.3.2 第V和VII主族元素替换 | 第69-72页 |
5.3.3 压强作用 | 第72-74页 |
5.4 本章小结 | 第74-76页 |
第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-94页 |
攻读学位期间发表论文与研究成果 | 第94-96页 |
致谢 | 第96-98页 |
作者简介 | 第98页 |