| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 能源短缺与太阳能开发 | 第12页 |
| 1.2 硫族化合物光电材料在光伏方面的应用及其特点 | 第12-13页 |
| 1.3 太阳能电池的常用表征方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 I-V曲线 | 第13-14页 |
| 1.3.2 单色光外量子效率曲线(EQE曲线)： | 第14-15页 |
| 1.3.3 电化学阻抗谱EIS | 第15页 |
| 1.3.4 透射、反射与吸收光谱分析： | 第15-16页 |
| 1.3.5 其他可能用到的仪器 | 第16页 |
| 1.4 我所研究的内容及其意义以及本论文的篇章布局 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 材料合成 | 第20-32页 |
| 2.1 PbS量子点的合成及其表征 | 第20-24页 |
| 2.1.1 PbS量子点的合成。 | 第20-22页 |
| 2.1.2 PbS量子点的表征 | 第22-24页 |
| 2.2 CdSe QDs与CdSe NTs的合成与表征 | 第24-29页 |
| 2.2.1 实验准备工作 | 第24-25页 |
| 2.2.2 CdSe QDs的合成 | 第25-26页 |
| 2.2.3 CdSe QDs及其CdSe NTs的表征 | 第26-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 PbS薄膜光电器件 | 第32-58页 |
| 3.1 PbS器件研究简要 | 第32-33页 |
| 3.2 PbS薄膜光电器件的制备 | 第33-37页 |
| 3.2.1 PbS器件制备所需材料的合成与制备 | 第33-35页 |
| 3.2.2 PbS光伏器件的详细制备流程 | 第35-37页 |
| 3.3 PbS器件空穴提取薄膜材料对电池性能的影响 | 第37-51页 |
| 3.3.1 表征过程用到的器材 | 第37-38页 |
| 3.3.2 器件制作过程中的一些优化过程 | 第38-41页 |
| 3.3.3 关于三种不同阳极缓冲层器件性能的实验结果与分析讨论 | 第41-51页 |
| 3.4 电子提取膜层对器件质量的影响 | 第51-53页 |
| 3.4.1 ZnO电子提取膜层 | 第51-52页 |
| 3.4.2 CdSe QDs电子提取膜层 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 CdSe与P3HT共混的有机无机复合薄膜光电器件 | 第58-66页 |
| 4.1 有机无机复合光电器件简介 | 第58页 |
| 4.2 器件构造所需材料的合成与制备——P3HT纳米线和CdSe纳米四脚体的合成 | 第58-59页 |
| 4.3 CdSe四脚体和P3HT混合制作器件流程 | 第59页 |
| 4.4 CdSe与P3HT共混的有机无机复合薄膜光电器件的性能分析 | 第59-63页 |
| 4.4.1 表征过程用到的器材 | 第59-60页 |
| 4.4.2 薄膜器件的性能分析 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第五章 CdSe QDs薄膜作为电子提取膜层用于钙钛矿电池的研究 | 第66-78页 |
| 5.1 CH_3NH_3PbI_3太阳电池的发展现状、前景与存在问题 | 第66-67页 |
| 5.2 CH_3NH_3PbI_3电池原材料的合成 | 第67-68页 |
| 5.2.1 PEDOT:PSS薄膜的制作 | 第67页 |
| 5.2.2 MAI的合成 | 第67-68页 |
| 5.2.3 CH_3NH_3PbI_3前驱体溶液的配制 | 第68页 |
| 5.3 CdSe QDs作为电子提取膜层制作CH_3NH_3PbI_3太阳电池 | 第68-70页 |
| 5.4 CdSe QDs作为电子提取膜层的CH_3NH_3PbI_3电池分析 | 第70-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 总结与展望 | 第78-80页 |
| 1、总结 | 第78-79页 |
| 2、展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与参与活动 | 第82-83页 |
| 一、发表文章 | 第82页 |
| 二、参会 | 第82-83页 |
