微下拉法晶体生长数值模拟
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
符号表 | 第8-9页 |
1 绪论 | 第9-19页 |
1.1 课题研究背景 | 第9页 |
1.2 熔体中晶体生长技术简介 | 第9-13页 |
1.2.1 提拉法 | 第9-10页 |
1.2.2 Bridgman 方法 | 第10-11页 |
1.2.3 浮区法 | 第11-12页 |
1.2.4 微下拉法 | 第12-13页 |
1.3 微下拉法晶体生长基础理论 | 第13-14页 |
1.4 微下拉法晶体生长研究现状 | 第14-16页 |
1.5 杂质分凝现象及其研究现状 | 第16-17页 |
1.6 本文的主要研究内容及创新 | 第17-19页 |
2 微下拉法晶体生长物理及数学模型 | 第19-25页 |
2.1 物理模型 | 第19-20页 |
2.2 数学模型 | 第20-24页 |
2.2.1 熔体的流动 | 第20-21页 |
2.2.2 控制方程 | 第21-22页 |
2.2.3 边界条件 | 第22-24页 |
2.3 本章小结 | 第24-25页 |
3 数值计算方法和验证 | 第25-29页 |
3.1 有限体积法 | 第25-27页 |
3.1.1 基本方程的通用形式 | 第25-26页 |
3.1.2 基本方程的离散和求解策略 | 第26-27页 |
3.2 网格有效性验证 | 第27-28页 |
3.3 本章小结 | 第28-29页 |
4 微下拉法晶体生长数值模拟 | 第29-35页 |
4.1 结果和分析 | 第29-33页 |
4.2 本章小结 | 第33-35页 |
5 有倾角的改善模型数值模拟 | 第35-39页 |
5.1 有倾角模型的几何结构 | 第35页 |
5.2 数值模拟结果及分析 | 第35-38页 |
5.3 本章小结 | 第38-39页 |
6 三维多孔入口模型数值模拟 | 第39-57页 |
6.1 五孔入口模型 | 第39-43页 |
6.1.1 五孔入口几何结构和网格划分 | 第39-40页 |
6.1.2 数值求解及边界条件 | 第40页 |
6.1.3 计算结果及分析 | 第40-43页 |
6.2 九孔入口模型 | 第43-49页 |
6.2.1 九孔入口几何结构和网格划分 | 第44-45页 |
6.2.2 数值求解及边界条件 | 第45页 |
6.2.3 计算结果及分析 | 第45-49页 |
6.3 九孔入口交错排列模型 | 第49-54页 |
6.3.1 九孔入口交错排列几何模型 | 第50页 |
6.3.2 九孔入口交错排列模型的数值模拟 | 第50-54页 |
6.4 本章小结 | 第54-57页 |
7 液桥高度对固液界面处径向浓度的影响 | 第57-61页 |
7.1 几何模型 | 第57页 |
7.2 数值模拟结果及分析 | 第57-60页 |
7.3 本章小结 | 第60-61页 |
8 结论与展望 | 第61-63页 |
8.1 结论 | 第61页 |
8.2 展望 | 第61-63页 |
致谢 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
附录 | 第69页 |
A. 作者在攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |