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微下拉法晶体生长数值模拟

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
符号表第8-9页
1 绪论第9-19页
    1.1 课题研究背景第9页
    1.2 熔体中晶体生长技术简介第9-13页
        1.2.1 提拉法第9-10页
        1.2.2 Bridgman 方法第10-11页
        1.2.3 浮区法第11-12页
        1.2.4 微下拉法第12-13页
    1.3 微下拉法晶体生长基础理论第13-14页
    1.4 微下拉法晶体生长研究现状第14-16页
    1.5 杂质分凝现象及其研究现状第16-17页
    1.6 本文的主要研究内容及创新第17-19页
2 微下拉法晶体生长物理及数学模型第19-25页
    2.1 物理模型第19-20页
    2.2 数学模型第20-24页
        2.2.1 熔体的流动第20-21页
        2.2.2 控制方程第21-22页
        2.2.3 边界条件第22-24页
    2.3 本章小结第24-25页
3 数值计算方法和验证第25-29页
    3.1 有限体积法第25-27页
        3.1.1 基本方程的通用形式第25-26页
        3.1.2 基本方程的离散和求解策略第26-27页
    3.2 网格有效性验证第27-28页
    3.3 本章小结第28-29页
4 微下拉法晶体生长数值模拟第29-35页
    4.1 结果和分析第29-33页
    4.2 本章小结第33-35页
5 有倾角的改善模型数值模拟第35-39页
    5.1 有倾角模型的几何结构第35页
    5.2 数值模拟结果及分析第35-38页
    5.3 本章小结第38-39页
6 三维多孔入口模型数值模拟第39-57页
    6.1 五孔入口模型第39-43页
        6.1.1 五孔入口几何结构和网格划分第39-40页
        6.1.2 数值求解及边界条件第40页
        6.1.3 计算结果及分析第40-43页
    6.2 九孔入口模型第43-49页
        6.2.1 九孔入口几何结构和网格划分第44-45页
        6.2.2 数值求解及边界条件第45页
        6.2.3 计算结果及分析第45-49页
    6.3 九孔入口交错排列模型第49-54页
        6.3.1 九孔入口交错排列几何模型第50页
        6.3.2 九孔入口交错排列模型的数值模拟第50-54页
    6.4 本章小结第54-57页
7 液桥高度对固液界面处径向浓度的影响第57-61页
    7.1 几何模型第57页
    7.2 数值模拟结果及分析第57-60页
    7.3 本章小结第60-61页
8 结论与展望第61-63页
    8.1 结论第61页
    8.2 展望第61-63页
致谢第63-65页
参考文献第65-69页
附录第69页
    A. 作者在攻读硕士期间发表的论文第69页

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