| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 硅纳米线制备方法概述 | 第10-15页 |
| 1.1.1 化学气相沉积 | 第10-12页 |
| 1.1.2 激光烧烛法 | 第12页 |
| 1.1.3 热蒸镀 | 第12-13页 |
| 1.1.4 金属辅助刻蚀法 | 第13-15页 |
| 1.2 硅纳米线表面修饰 | 第15-17页 |
| 1.3 硅纳米线应用现状 | 第17-19页 |
| 1.4 铅的常用分析方法及其研究现状 | 第19-23页 |
| 1.4.1 非电化学分析方法 | 第20-22页 |
| 1.4.2 电化学分析方法 | 第22-23页 |
| 1.5 论文立题意义、研究内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1 论文立题意义 | 第23-24页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方案及材料 | 第25-30页 |
| 2.1 实验原材料、设备及检测仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原材料 | 第25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 检测仪器 | 第26页 |
| 2.2 实验方案 | 第26-29页 |
| 2.2.1 硅纳米线的制备研究 | 第26-28页 |
| 2.2.2 金属颗粒修饰的硅纳米线传感器的制备研究 | 第28-29页 |
| 2.3 材料微观表征 | 第29-30页 |
| 第三章 金属辅助刻蚀法制备硅纳米线 | 第30-53页 |
| 3.1 序言 | 第30页 |
| 3.2 实验方法及流程 | 第30-31页 |
| 3.3 样品表征 | 第31页 |
| 3.4 两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备多孔硅纳米线 | 第31-44页 |
| 3.4.1 AgNO_3浓度对硅纳米线表面形貌的影响 | 第31-37页 |
| 3.4.2 Fe(NO_3)_3浓度对硅纳米线表面形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.3 刻蚀时间对SiNWs形貌和结构的影响 | 第39-42页 |
| 3.4.4 多孔硅纳米线的TEM和HRTEM表征 | 第42-43页 |
| 3.4.5 拉曼光谱分析 | 第43-44页 |
| 3.5 一步金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备硅纳米线 | 第44-51页 |
| 3.5.1 AgNO_3浓度对SiNWs表面形貌的影响 | 第44-47页 |
| 3.5.2 Fe(NO_3)_3浓度对硅纳米线结构和形貌的影响 | 第47-49页 |
| 3.5.3 刻蚀时间对硅纳米线结构与形貌的影响 | 第49-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 Au/SiNWs阵列电极重金属检测的研究 | 第53-75页 |
| 4.1 痕量重金属铅Pb~(2+)的测定 | 第53页 |
| 4.1.1 仪器与试剂 | 第53页 |
| 4.2. 实验原理和基本方法 | 第53-56页 |
| 4.3 溶出伏安法测试系统 | 第56-57页 |
| 4.4 Au/SiNWs的制备 | 第57-58页 |
| 4.5 结果与讨论 | 第58-74页 |
| 4.5.1 基于循环伏安技术的测试 | 第58-59页 |
| 4.5.2 阳极溶出伏安法扫描速度对Pb~(2+)溶出峰电流的影响 | 第59-62页 |
| 4.5.4 刻蚀时间对Au/SiNWs形貌与结构的影响 | 第62-66页 |
| 4.5.5 刻蚀时间对溶出峰电流的影响研究 | 第66-67页 |
| 4.5.6 金沉积时间对Au/SiNWs表面形貌与结构的影响研究 | 第67-71页 |
| 4.5.7 金沉积时间对溶出峰电流的影响研究 | 第71页 |
| 4.5.8 Pb~(2+)浓度和溶出峰电流的关系 | 第71-73页 |
| 4.5.9 抗干扰性实验 | 第73-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论与展望 | 第75-78页 |
| 5.1 总结 | 第75-76页 |
| 5.2 创新点 | 第76-77页 |
| 5.3 展望 | 第77-78页 |
| 硕士学位期间的论文发表情况 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
