| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 选题意义 | 第10-11页 |
| 1.2 高温润湿性 | 第11-13页 |
| 1.2.1 润湿性表征 | 第11页 |
| 1.2.2 反应体系润湿驱动力 | 第11-12页 |
| 1.2.3 反应控制铺展模型 | 第12-13页 |
| 1.3 Al/SiC 体系润湿性研究现状 | 第13-19页 |
| 1.4 Al/CNTs 体系润湿性研究现状 | 第19-26页 |
| 1.4.1 CNTs 的结构 | 第19-20页 |
| 1.4.2 CNTs 结构缺陷 | 第20-21页 |
| 1.4.3 Al/CNTs 体系润湿性研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4.4 Al/CNTs 体系反应性研究现状 | 第23-26页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 实验方法 | 第28-32页 |
| 2.1 实验材料 | 第28-29页 |
| 2.2 实验设备及方法 | 第29-30页 |
| 2.3 样品表征 | 第30-32页 |
| 第3章 Al 在单晶 SiC 上的润湿性及合金元素 Si 的影响 | 第32-58页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 Al 在(0001) 6H-SiC 上的润湿性和界面结构 | 第32-46页 |
| 3.2.1 润湿行为 | 第32-34页 |
| 3.2.2 界面结构 | 第34-38页 |
| 3.2.3 分析与讨论 | 第38-46页 |
| 3.3 SiC 晶体结构对 Al/SiC 体系润湿性的影响 | 第46-52页 |
| 3.3.1 Al 在 4H 和 6H-SiC 上润湿行为比较 | 第46-48页 |
| 3.3.2 Al 在[0001]晶向偏离基板表面法线方向 4o 的和无偏离的 4H-SiC 上润湿行为对比 | 第48-50页 |
| 3.3.3 Al 在 6H-SiC 单晶 Si 终结面和多晶 SiC 上润湿行为比较 | 第50-52页 |
| 3.4 合金元素 Si 对 Al/SiC 体系润湿性的影响 | 第52-57页 |
| 3.4.1 Si 终结面 | 第52-54页 |
| 3.4.2 C 终结面 | 第54-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 Al 在 CNTs 上的润湿性及界面化学 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 润湿性 | 第58-62页 |
| 4.2.1 润湿性测试方法 | 第58-60页 |
| 4.2.2 润湿行为 | 第60-62页 |
| 4.3 界面结构 | 第62-74页 |
| 4.3.1 Al/多晶石墨体系 | 第62-64页 |
| 4.3.2 Al/CNTs 体系 | 第64-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 作者简介及科研成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
