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RoF系统中高速高饱和光探测器的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-15页
    1.1 研究背景及意义第11-12页
    1.2 论文结构安排第12-13页
    参考文献第13-15页
第二章 RoF系统中高速高饱和光探测器第15-41页
    2.1 RoF系统概述第15-17页
    2.2 高速高饱和光探测器的研究进展第17-24页
        2.2.1 高速高饱和PIN-PD的研究进展第18-20页
        2.2.2 高速高饱和UTC-PD的研究进展第20-24页
    2.3 UTC-PD的基本原理第24-25页
    2.4 UTC-PD的性能参数第25-32页
        2.4.1 响应度和量子效率第25-26页
        2.4.2 暗电流和噪声第26-27页
        2.4.3 介电弛豫时间第27-28页
        2.4.4 3dB带宽第28-30页
        2.4.5 饱和电流第30-32页
    2.5 UTC-PD的小信号模型第32-35页
        2.5.1 简化的小信号模型第32-34页
        2.5.2 改进的小信号模型第34-35页
    2.6 本章小结第35-36页
    参考文献第36-41页
第三章 高速高饱和UTC-PD的性能优化研究第41-63页
    3.1 UTC-PD的仿真模型第41-50页
        3.1.1 三大基本方程第41-42页
        3.1.2 数值解技术第42-43页
        3.1.3 物理模型第43-46页
        3.1.4 材料参数第46-50页
    3.2 UTC-PD结构的优化设计第50-53页
        3.2.1 吸收层的优化设计第50-52页
        3.2.2 崖层的优化设计第52-53页
    3.3 UTC-PD性能的优化分析第53-59页
        3.3.1 高速响应特性分析第53-56页
        3.3.2 响应度与量子效率特性分析第56-57页
        3.3.3 饱和电流特性分析第57页
        3.3.4 大功率特性分析第57-59页
    3.4 本章小结第59-60页
    参考文献第60-63页
第四章 零偏压光探测器的性能研究第63-75页
    4.1 零偏压光探测器概述第63-66页
    4.2 PIN-PD的零偏压性能研究第66-68页
    4.3 UTC-PD的零偏压性能研究第68-71页
    4.4 PIN-PD与UTC-PD的零偏压性能对比分析第71-72页
    4.5 本章小结第72-73页
    参考文献第73-75页
第五章 光探测器的后工艺制备与性能测试第75-89页
    5.1 器件的外延生长第75-76页
    5.2 外延片的质量测试与分析第76-78页
        5.2.1 XRD测试与分析第76-77页
        5.2.2 ECV测试与分析第77-78页
    5.3 器件的后工艺制备第78-82页
    5.4 器件的性能测试第82-87页
        5.4.1 电极的欧姆接触第82-84页
        5.4.2 暗电流测试第84-85页
        5.4.3 量子效率测试第85-86页
        5.4.4 3dB带宽测试第86-87页
    5.5 本章小结第87-88页
    参考文献第88-89页
致谢第89-91页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第91页

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