| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 热电效应简介 | 第13-15页 |
| 1.3 纳米热电材料研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3.1 二维量子阱和超晶格材料 | 第15-17页 |
| 1.3.2 一维纳米线材料 | 第17-18页 |
| 1.4 论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 实验方法 | 第19-39页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第19-23页 |
| 2.1.1 分子束外延简介 | 第19-21页 |
| 2.1.2 反射式高能电子衍射（RHEED） | 第21-22页 |
| 2.1.3 基片的预处理 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜材料的电性能表征手段 | 第23-26页 |
| 2.2.1 四探针法测量薄膜电导率 | 第23-24页 |
| 2.2.2 薄膜塞贝克系数测量方法 | 第24-26页 |
| 2.3 薄膜材料的热性能表征手段 | 第26-38页 |
| 2.3.1 一维热波法测量薄膜热扩散系数 | 第27-36页 |
| 2.3.2 3ω法测量薄膜热导系数 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 铋单质的分子束外延制备及表征 | 第39-57页 |
| 3.1 分子束外延基本实验条件的摸索 | 第39-42页 |
| 3.1.1 基片的预处理过程 | 第39-41页 |
| 3.1.2 基片成膜的均匀性 | 第41-42页 |
| 3.2 基片温度、束源炉温度对分子束外延制备铋、碲材料的影响 | 第42-54页 |
| 3.2.1 束源炉温度对材料成膜速率的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.2 基片温度对材料成膜速率的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.3 基片温度在铋纳米材料制备中的影响 | 第45-54页 |
| 3.3 本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 碲化铋薄膜的分子束外延制备及表征 | 第57-67页 |
| 4.1 铋束源炉温度对碲化铋薄膜制备的影响 | 第57-62页 |
| 4.2 基片温度对碲化铋薄膜制备的影响 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第73-74页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |