| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-32页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 量子点 | 第14-24页 |
| 1.2.1 量子点分类 | 第14-15页 |
| 1.2.2 胶体量子点 | 第15-16页 |
| 1.2.3 核壳量子点 | 第16-19页 |
| 1.2.4 量子点荧光原理 | 第19-20页 |
| 1.2.5 量子点荧光特性参数 | 第20-21页 |
| 1.2.6 量子点的应用 | 第21-24页 |
| 1.3 量子点电致发光二极管(QLED) | 第24-31页 |
| 1.3.1 QLED的发展历程 | 第24-27页 |
| 1.3.2 QLED的发光机制 | 第27-28页 |
| 1.3.3 QLED的电荷传输 | 第28-29页 |
| 1.3.4 QLED的性能特征参数 | 第29-31页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第31-32页 |
| 第2章 CdSe基核壳量子点的合成及其电致发光二极管的制备 | 第32-42页 |
| 2.1 CdSe基核壳量子点的合成 | 第32-34页 |
| 2.1.1 量子点的合成原料 | 第32页 |
| 2.1.2 ZnCdS/ZnS蓝光量子点的合成方法 | 第32-33页 |
| 2.1.3 CdSe@ZnS绿光量子点的合成方法 | 第33页 |
| 2.1.4 CdSe/CdS/ZnS红光量子点的合成方法 | 第33页 |
| 2.1.5 量子点的提纯 | 第33-34页 |
| 2.2 CdSe基核壳量子点的表征 | 第34-39页 |
| 2.2.1 吸收和发光光谱 | 第34-38页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM)测试 | 第38-39页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD)测试 | 第39页 |
| 2.3 CdSe基核壳量子点电致发光二极管的制备 | 第39-40页 |
| 2.3.1 ITO玻璃的清洗 | 第39-40页 |
| 2.3.2 电荷传输层的制备 | 第40页 |
| 2.3.3 量子点层的制备 | 第40页 |
| 2.3.4 电极的制备 | 第40页 |
| 2.4 QLED的测试 | 第40-42页 |
| 2.4.1 电流-电压(I-V)特性曲线的测量 | 第40-41页 |
| 2.4.2 亮度-电压(L-V)特性曲线的测量 | 第41页 |
| 2.4.3 QLED的电致发光(EL)光谱 | 第41-42页 |
| 第3章 基于ZnMgO电子传输层的高亮蓝光QLED | 第42-54页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 Mg掺杂ZnO实验 | 第42-43页 |
| 3.2.1 合成原料 | 第42-43页 |
| 3.2.2 ZnO纳米粒子的合成方法 | 第43页 |
| 3.2.3 Mg掺杂ZnO纳米粒子的合成方法 | 第43页 |
| 3.3 Mg掺杂ZnO纳米粒子的表征 | 第43-46页 |
| 3.3.1 吸收光谱 | 第43-44页 |
| 3.3.2 TEM测试 | 第44-45页 |
| 3.3.3 XRD测试 | 第45页 |
| 3.3.4 UPS测试 | 第45-46页 |
| 3.4 Mg掺杂对ZnO光电特性的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.1 Mg掺杂对ZnO能带的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.2 Mg掺杂对ZnO电子迁移率的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 ZnMgO纳米粒子作为电子传输层提高QLED亮度和效率 | 第48-53页 |
| 3.5.1 实验 | 第48-49页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第49-53页 |
| 3.6 结论 | 第53-54页 |
| 第4章 混合有机物空穴传输层对QLED性能的影响 | 第54-63页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 实验 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.3.1 PVK(Poly-TPD) 混合空穴传输层对QLED性能的影响 | 第55-59页 |
| 4.3.2 PVK(CBP) 混合空穴传输层对QLED性能的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.3 PVK(TCTA)混合空穴传输层对QLED性能的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 结论 | 第61-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 研究展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
