| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 相变薄膜的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.3 相变薄膜的键合结构 | 第11-18页 |
| 1.4 相变薄膜的力学性质 | 第18-20页 |
| 1.5 相变薄膜的光学性质 | 第20-24页 |
| 1.6 相变薄膜的电学性质 | 第24-26页 |
| 1.7 研究依据与主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 氮引入锗锑碲和银引入锑碲薄膜的制备与表征 | 第28-33页 |
| 2.1 磁控溅射的工作原理 | 第28-29页 |
| 2.2 氮引入锗锑碲和银引入锑碲薄膜薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 2.3 氮引入锗锑碲和银引入锑碲薄膜的表征 | 第31-33页 |
| 第三章 氮引入及偏压对非晶锗锑碲薄膜键合结构、光学性质和电学性质的影响 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 氮引入及偏压对非晶Ge_2Sb_2Te_5薄膜键合结构的影响 | 第34-42页 |
| 3.3 氮引入及偏压对非晶Ge_2Sb_2Te_5薄膜硬度的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 氮引入及偏压对非晶Ge_2Sb_2Te_5薄膜Urbach带尾宽度的影响 | 第45-48页 |
| 3.5 退火引起Ge_2Sb_2Te_5和含氮Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构和电阻的变化 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 银引入对锑碲薄膜键合结构、光学性质和电学性质的影响 | 第51-60页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 薄膜成分分析 | 第51-53页 |
| 4.3 银引入对Sb_2Te_3薄膜键合结构的影响 | 第53-56页 |
| 4.4 银引入对Sb_2Te_3薄膜光学性质的影响 | 第56-58页 |
| 4.5 银引入对Sb_2Te_3薄膜电学性质的影响 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-73页 |
| 硕士期间所获得科研成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
