应变锗薄膜的制备与表征
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 论文研究的背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 应变锗发光技术研究进展 | 第9-12页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 应变锗能带结构理论 | 第14-22页 |
| 2.1 应变的引入方法 | 第14-18页 |
| 2.1.1 全局应变 | 第14-16页 |
| 2.1.2 局部应变 | 第16-18页 |
| 2.1.3 各种应变引入方法的比较 | 第18页 |
| 2.2 应变锗能带结构理论 | 第18-21页 |
| 2.2.1 锗能带结构 | 第18-19页 |
| 2.2.2 应变对能带结构的影响 | 第19-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 高应力氮化硅薄膜的制备 | 第22-37页 |
| 3.1 氮化硅薄膜的沉积方法 | 第22-23页 |
| 3.1.1 物理气相沉积 | 第22页 |
| 3.1.2 化学气相沉积 | 第22-23页 |
| 3.2 PECVD淀积应力氮化硅原理 | 第23-25页 |
| 3.2.1 PECVD氮化硅原理 | 第23-25页 |
| 3.2.2 PECVD张应力氮化硅薄膜原理 | 第25页 |
| 3.2.3 PECVD压应力氮化硅薄膜原理 | 第25页 |
| 3.3 薄膜应力测试基本原理 | 第25-27页 |
| 3.3.1 椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度 | 第26页 |
| 3.3.2 薄膜应力测试仪测薄膜应力 | 第26-27页 |
| 3.4 工艺参数与薄膜应力的关系 | 第27-36页 |
| 3.4.1 高压应力氮化硅薄膜的制备 | 第27-34页 |
| 3.4.2 高张应力氮化硅薄膜的制备 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 锗发光二极管制作工艺探究 | 第37-53页 |
| 4.1 硅基锗材料的外延生长 | 第37-42页 |
| 4.1.1 外延生长模式 | 第37-38页 |
| 4.1.2 硅基锗外延材料制备技术 | 第38页 |
| 4.1.3 PIN结构锗材料的制备 | 第38-42页 |
| 4.2 锗二极管的结构 | 第42-43页 |
| 4.3 工艺流程 | 第43-52页 |
| 4.3.1 光刻 | 第43-45页 |
| 4.3.2 刻蚀 | 第45-47页 |
| 4.3.3 其他工艺过程 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 锗发光二极管性能测试 | 第53-64页 |
| 5.1 应变锗材料表征 | 第53-57页 |
| 5.1.1 拉曼光谱分析 | 第53-55页 |
| 5.1.2 高分辨X射线衍射 | 第55-57页 |
| 5.2 锗发光二极管I-V特性 | 第57-59页 |
| 5.3 锗的光致发光特性 | 第59-61页 |
| 5.4 锗的电致发光特性 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
