| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 磁存储 | 第10-11页 |
| 1.3 光存储 | 第11页 |
| 1.4 半导体存储器 | 第11-12页 |
| 1.4.1 闪存 | 第11-12页 |
| 1.4.2 相变随机存取存储器 | 第12页 |
| 1.5 相变存储材料 | 第12-16页 |
| 1.5.1 相变存储材料的发现 | 第12-13页 |
| 1.5.2 相变存储材料GeSbTe的结构和相变机理 | 第13-16页 |
| 1.6 GeSbTe非晶态结构的研究现状及存在的问题 | 第16-23页 |
| 1.7 本论文的研究内容及意义 | 第23-24页 |
| 1.7.1 研究意义 | 第23页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验原理及方法 | 第24-34页 |
| 2.1 绝热近似（Born-Oppenheimer） | 第24-25页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第25-27页 |
| 2.3 密度泛函理论（Density Functional Theory, DFT） | 第27-32页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-30页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第30-31页 |
| 2.3.3 自洽方法求解 | 第31页 |
| 2.3.4 局域密度近似 | 第31-32页 |
| 2.3.5 广义梯度近似 | 第32页 |
| 2.4 VASP代码 | 第32-34页 |
| 第3章 物理截断与电子局域函数结合法研究GeTe非晶态原子成键 | 第34-42页 |
| 3.1 前言 | 第34页 |
| 3.2 实验方法 | 第34-35页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第35-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-42页 |
| 第4章 GeTe非晶态中局域结构与原子成键的研究 | 第42-48页 |
| 4.1 前言 | 第42页 |
| 4.2 GeTe非晶态局域结构的分析 | 第42-45页 |
| 4.3 GeTe非晶态结构中Ge原子态密度分析 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 Sb_2Te_3加入对Ge原子局域结构以及材料性能的影响 | 第48-60页 |
| 5.0 前言 | 第48页 |
| 5.1 实验方法 | 第48-50页 |
| 5.2 Ge_2Sb_2Te_5的非晶态结构分析 | 第50-57页 |
| 5.2.1 确定分析Ge_2Sb_2Te_5非晶态时的物理截断长度和ELF阈值 | 第50-52页 |
| 5.2.2 分析Ge_2Sb_2Te_5非晶态结构中Ge和Sb的配位情况 | 第52-53页 |
| 5.2.3 利用拆分结构的方法分析同质键对Ge原子局域结构构型的影响 | 第53-55页 |
| 5.2.4 Ge_2Sb_2Te_5非晶态结构中Ge和Sb原子态密度分析 | 第55-56页 |
| 5.2.5 Sb_2Te_3的加入对相变材料性能的影响 | 第56-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
