| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 a-Si:H薄膜 | 第11-14页 |
| 1.2.1 a-Si:H薄膜的研究历史与现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 a-Si:H薄膜的应用 | 第12-14页 |
| 1.3 全硅叠层太阳电池——Si-QDs在太阳电池中的起源 | 第14-17页 |
| 1.4 Si-QDs的应用 | 第17-20页 |
| 1.5 本文研究的意义 | 第20-21页 |
| 1.6 论文的结构 | 第21-22页 |
| 第二章a-Si:H和Si-QDs的基本特性 | 第22-35页 |
| 2.1 a-Si:H薄膜 | 第22-25页 |
| 2.1.1 a-Si:H薄膜的结构特性 | 第22-23页 |
| 2.1.2 a-Si:H薄膜的光学特性 | 第23-24页 |
| 2.1.3 a-Si:H薄膜的电学特性 | 第24页 |
| 2.1.4 a-Si:H薄膜的光致衰减效应 | 第24-25页 |
| 2.2 Si-QDs | 第25-34页 |
| 2.2.1 Si-QDs的基本概念 | 第25-26页 |
| 2.2.2 Si-QDs的尺寸控制 | 第26-27页 |
| 2.2.3 Si-QDs的掺杂 | 第27-30页 |
| 2.2.4 Si-QDs中载流子的传输 | 第30-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章a-Si:H和Si-QDs薄膜的制备和表征 | 第35-48页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 制备方法 | 第35-39页 |
| 3.2.1 实验的准备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 PECVD法制备a-Si:H薄膜 | 第36-37页 |
| 3.2.3 磁控溅射法制备SRSN薄膜 | 第37-39页 |
| 3.2.4 蒸镀Al电极 | 第39页 |
| 3.3 退火 | 第39-42页 |
| 3.3.1 a-Si:H薄膜的退火 | 第39-40页 |
| 3.3.2 SRSN薄膜的退火 | 第40-41页 |
| 3.3.3 Si-QDs薄膜电极的退火 | 第41-42页 |
| 3.4 样品表征 | 第42-47页 |
| 3.4.1 X-射线衍射 | 第42-43页 |
| 3.4.2 紫外-可见分光光度计 | 第43页 |
| 3.4.3 台阶仪 | 第43页 |
| 3.4.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第43-44页 |
| 3.4.5 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第44页 |
| 3.4.6 光电子能谱(XPS) | 第44-45页 |
| 3.4.7 Raman和光致发光谱(PL) | 第45-46页 |
| 3.4.8 透射电子显微镜(TEM) | 第46页 |
| 3.4.9 量子效率(QE)和I-V特性 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 氢化非晶硅薄膜光学特性的研究 | 第48-62页 |
| 4.1 a-Si:H薄膜样品的制备 | 第48页 |
| 4.2 沉积压力对a-Si:H薄膜性能的影响 | 第48-54页 |
| 4.2.1 沉积压力对a-Si:H薄膜沉积速率的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.2 沉积压力对a-Si:H薄膜光学带隙的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.3 沉积压力对a-Si:H薄膜结构因子的影响 | 第51-54页 |
| 4.3 衬底温度对a-Si:H薄膜性能的影响 | 第54-60页 |
| 4.3.1 不同衬底温度的SEM图 | 第54页 |
| 4.3.2 a-Si:H薄膜的XRD分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 衬底温度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.4 衬底温度对a-Si:H薄膜光学带隙的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.5 衬底温度对a-Si:H薄膜键合方式的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.6 衬底温度对a-Si:H薄膜化合价的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 Si-QDs薄膜特性的研究 | 第62-89页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 Si-QDs薄膜样品的制备 | 第62-64页 |
| 5.2.1 SRSN薄膜样品的制备 | 第62-64页 |
| 5.2.2 SRSN薄膜样品的退火 | 第64页 |
| 5.3 本征Si-QDs薄膜的性能研究 | 第64-67页 |
| 5.3.1 本征Si-QDs薄膜的XRD分析 | 第65-67页 |
| 5.4 Sb掺杂Si-QDs薄膜的性能研究 | 第67-77页 |
| 5.4.1 Sb掺杂Si-QDs薄膜的XRD分析 | 第67-69页 |
| 5.4.2 Sb掺杂Si-QDs薄膜的Raman分析 | 第69-71页 |
| 5.4.3 Sb掺杂Si-QDs薄膜的PL分析 | 第71-73页 |
| 5.4.4 Sb掺杂Si-QDs薄膜的TEM分析 | 第73-75页 |
| 5.4.5 Sb掺杂Si-QDs薄膜的XPS分析 | 第75-77页 |
| 5.5 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的性能研究 | 第77-87页 |
| 5.5.1 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的XRD分析 | 第78-80页 |
| 5.5.2 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的Raman分析 | 第80-82页 |
| 5.5.3 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的的PL分析 | 第82-84页 |
| 5.5.4 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的TEM分析 | 第84-85页 |
| 5.5.5 不同Sb掺杂量Si-QDs薄膜的的XPS分析 | 第85-87页 |
| 5.6 本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 Si-QDs薄膜太阳电池的设计 | 第89-95页 |
| 6.1 Si-QDs太阳电池的设计 | 第89页 |
| 6.2 Si-QDs太阳电池的制备 | 第89-90页 |
| 6.3 Si-QDs太阳电池的测试 | 第90-94页 |
| 6.4 本章小结 | 第94-95页 |
| 第七章 总结与展望 | 第95-98页 |
| 7.1 总结 | 第95-96页 |
| 7.1.1 a-Si:H薄膜 | 第95页 |
| 7.1.2 Si-QDs薄膜 | 第95-96页 |
| 7.1.3 Si-QDs薄膜太阳电池 | 第96页 |
| 7.2 展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-109页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文及其它 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
