摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
引言 | 第9-10页 |
1 绪论 | 第10-23页 |
1.1 VO_2薄膜材料的基本性质与相变应用 | 第10-15页 |
1.1.1 VO_2薄膜材料的基本性质 | 第10-13页 |
1.1.2 VO_2薄膜材料的应用 | 第13-14页 |
1.1.3 VO_2薄膜材料的研究进展 | 第14-15页 |
1.2 VO_2薄膜相变机理 | 第15-17页 |
1.2.1 Mott相变机理 | 第15-16页 |
1.2.2 Peierls相变机理 | 第16-17页 |
1.3 调控VO_2薄膜相变的方法 | 第17-18页 |
1.3.1 原子掺杂调控VO_2薄膜相变 | 第17-18页 |
1.3.2 应力引入调控VO_2薄膜相变 | 第18页 |
1.3.3 偏压电场调控VO_2薄膜相变 | 第18页 |
1.4 VO_2薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
1.4.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第19页 |
1.4.2 磁控溅射法 | 第19-20页 |
1.4.3 分子束外延法(MBE) | 第20-21页 |
1.4.4 激光脉冲沉积法(PLD) | 第21-22页 |
1.5 本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
2 本论文中采用的制备与表征方法 | 第23-32页 |
2.1 制备方法 | 第23-25页 |
2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第23-25页 |
2.2 表征方法 | 第25-31页 |
2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第27-28页 |
2.2.4 光致发光测试(PL) | 第28页 |
2.2.5 透射测试 | 第28-29页 |
2.2.6 自制变温电阻测试平台 | 第29-31页 |
2.3 本章小结 | 第31-32页 |
3 氧气分压对PLD法生长VO_2薄膜结构和性能的影响 | 第32-39页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 实验过程 | 第32-33页 |
3.3 实验结果和分析 | 第33-38页 |
3.4 本章小结 | 第38-39页 |
4 原位AlN应力层的引入对VO_2薄膜性能的影响 | 第39-46页 |
4.1 引言 | 第39-40页 |
4.2 实验过程 | 第40页 |
4.3 实验结果和分析 | 第40-45页 |
4.4 本章小结 | 第45-46页 |
5 XPS研究AlN应力层诱导V在氧化钒薄膜中的价态变化 | 第46-53页 |
5.1 引言 | 第46页 |
5.2 实验过程 | 第46-47页 |
5.3 实验结果和分析 | 第47-52页 |
5.4 本章小结 | 第52-53页 |
结论 | 第53-54页 |
展望 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-60页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |