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AIN应力层调控激光脉冲沉积法生长VO2薄膜相变特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
引言第9-10页
1 绪论第10-23页
    1.1 VO_2薄膜材料的基本性质与相变应用第10-15页
        1.1.1 VO_2薄膜材料的基本性质第10-13页
        1.1.2 VO_2薄膜材料的应用第13-14页
        1.1.3 VO_2薄膜材料的研究进展第14-15页
    1.2 VO_2薄膜相变机理第15-17页
        1.2.1 Mott相变机理第15-16页
        1.2.2 Peierls相变机理第16-17页
    1.3 调控VO_2薄膜相变的方法第17-18页
        1.3.1 原子掺杂调控VO_2薄膜相变第17-18页
        1.3.2 应力引入调控VO_2薄膜相变第18页
        1.3.3 偏压电场调控VO_2薄膜相变第18页
    1.4 VO_2薄膜的制备方法第18-22页
        1.4.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel)第19页
        1.4.2 磁控溅射法第19-20页
        1.4.3 分子束外延法(MBE)第20-21页
        1.4.4 激光脉冲沉积法(PLD)第21-22页
    1.5 本论文的主要研究内容第22-23页
2 本论文中采用的制备与表征方法第23-32页
    2.1 制备方法第23-25页
        2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)第23-25页
    2.2 表征方法第25-31页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第25-26页
        2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)第26-27页
        2.2.3 X射线光电子能谱(XPS)第27-28页
        2.2.4 光致发光测试(PL)第28页
        2.2.5 透射测试第28-29页
        2.2.6 自制变温电阻测试平台第29-31页
    2.3 本章小结第31-32页
3 氧气分压对PLD法生长VO_2薄膜结构和性能的影响第32-39页
    3.1 引言第32页
    3.2 实验过程第32-33页
    3.3 实验结果和分析第33-38页
    3.4 本章小结第38-39页
4 原位AlN应力层的引入对VO_2薄膜性能的影响第39-46页
    4.1 引言第39-40页
    4.2 实验过程第40页
    4.3 实验结果和分析第40-45页
    4.4 本章小结第45-46页
5 XPS研究AlN应力层诱导V在氧化钒薄膜中的价态变化第46-53页
    5.1 引言第46页
    5.2 实验过程第46-47页
    5.3 实验结果和分析第47-52页
    5.4 本章小结第52-53页
结论第53-54页
展望第54-55页
参考文献第55-60页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第60-61页
致谢第61-62页

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