| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·纳米MOSFET集成电路的发展与挑战 | 第15-20页 |
| ·栅介质材料面临的挑战 | 第17-18页 |
| ·采用新型沟道材料必要性 | 第18页 |
| ·高k栅介质材料的选择依据 | 第18-20页 |
| ·高k介电材料和沟道材料的选择以及研究现状 | 第20-23页 |
| ·高k栅介质材料 | 第20-22页 |
| ·沟道材料 | 第22-23页 |
| ·论文研究的内容及意义 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 制备及表征方法 | 第31-49页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第31-35页 |
| ·脉冲激光(PLD)沉积技术 | 第31-34页 |
| ·磁控溅射制备技术 | 第34-35页 |
| ·光刻技术 | 第35-36页 |
| ·快速热处理(RTP)技术 | 第36-37页 |
| ·表征方法 | 第37-47页 |
| ·反射式高能电子衍射谱(RHEED) | 第37-39页 |
| ·高分辨电镜(HRTEM) | 第39页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第39-41页 |
| ·电容—电压(C-V)特性 | 第41-43页 |
| ·电流密度—电压(I-V)特性 | 第43-45页 |
| ·电导法测定界面态密度 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 立方相HfO_2薄膜在Si(001)上外延生长与电学特性 | 第49-59页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·靶材制备 | 第49-50页 |
| ·硅片处理 | 第50页 |
| ·生长条件对HfO_2膜结构的影响与分析 | 第50-52页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第51页 |
| ·脉冲烧蚀能量对薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| ·立方相HfO_2外延薄膜的RHEED分析 | 第52-53页 |
| ·RTP对HfO_2/Si外延堆栈层结构的影响 | 第53-54页 |
| ·RTP对HfO_2/Si外延堆栈层电学性能的影响 | 第54-55页 |
| ·电流—电压特性分析 | 第54-55页 |
| ·电容—电压特性分析 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 GHO(10%)薄膜在Si(001)上的外延生长与电性能研究 | 第59-67页 |
| ·样品的制备 | 第59-60页 |
| ·GHO-10/Si外延堆栈层的生长因素与结构分析 | 第60-63页 |
| ·沉积条件对GHO-10薄膜微观结构的影响 | 第60页 |
| ·GHO-10/Si外延堆栈层的结构表征 | 第60-62页 |
| ·GHO-10/Si外延堆栈层的界面成分的研究 | 第62-63页 |
| ·GHO-10外延薄膜的电学性能研究 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 不同配比GHO外延薄膜在Si(001)衬底上制备及结构研究 | 第67-77页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·不同计量比GHO固溶薄膜的靶材的制备与晶格参数分析 | 第67-69页 |
| ·靶材制备 | 第67页 |
| ·不同配比块状靶材的晶格参数分析 | 第67-69页 |
| ·掺杂量对GHO固溶薄膜晶体结构的影响与分析 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第六章 GHO(35%)薄膜在Ge(001)衬底上外延生长及电性能 | 第77-98页 |
| 引言 | 第77-78页 |
| ·样品制备 | 第78页 |
| ·Ge衬底上GHO-35外延薄膜生长对条件的依赖性 | 第78-81页 |
| ·脉冲烧蚀能量对薄膜结构的影响 | 第78-81页 |
| ·沉积温度对薄膜结构的影响 | 第81页 |
| ·GHO-35异质外延生长的生长动力学研究 | 第81-86页 |
| ·GHO-35/Ge异质外延结构的HRTEM研究 | 第86-87页 |
| ·GHO-35/Ge异质外延界面成分的XPS研究 | 第87-88页 |
| ·GHO-35外延薄膜生长过程的模拟研究 | 第88-90页 |
| ·GHO-35/Ge外延堆栈层的能带结构分析 | 第90-91页 |
| ·超薄GHO-35栅介质Ge-MOS的电学特性研究 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第七章 La_2O_3在InP(001)衬底上外延生长及电性能 | 第98-110页 |
| ·引言 | 第98页 |
| ·样品制备 | 第98-99页 |
| ·沉积工艺对La_2O_3薄膜生长行为的影响 | 第99-101页 |
| ·RHEED监测La_2O_3薄膜外延生长的研究 | 第101-102页 |
| ·La_2O_3/InP堆栈层的微观结构分析 | 第102-103页 |
| ·La_2O_3/InP界面电子结构的研究 | 第103-104页 |
| ·用于InP沟道La_2O_3栅介质薄膜的电学性能研究 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 结论 | 第110-114页 |
| 论文工作总结 | 第110-113页 |
| 论文工作创新 | 第113-114页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 作者简介 | 第117页 |
