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FePt薄膜微结构与磁性的调控研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第12-32页
    1.1 磁记录技术发展简史第13-14页
    1.2 硬盘工作原理与磁记录技术简介第14-22页
        1.2.1 HDD硬盘工作原理简介第15-18页
        1.2.2 水平磁记录与垂直磁记录技术第18-22页
    1.3 磁记录技术发展趋势第22-28页
    1.4 本论文的研究意义与主要内容第28-30页
    参考文献第30-32页
第二章 薄膜的制备与表征第32-52页
    2.1 薄膜制备第32-36页
    2.2 薄膜成分分析与微观表征第36-40页
    2.3 薄膜宏观磁性与宏观电性表征第40-46页
    2.4 扫描探针显微镜第46-50页
    参考文献第50-52页
第三章 垂直各向异性FePt薄膜的非外延生长第52-63页
    3.1 引言第52-53页
    3.2 L1_0相FePt薄膜的磁晶各向异性及微观机理第53-55页
        3.2.1 Fe-Pt合金的磁性起源第54页
        3.2.2 Fe-Pt合金的磁晶各向异性微观机理第54-55页
    3.3 样品制备第55-56页
    3.4 L1_0相FePt薄膜的非外延生长制备第56-58页
        3.4.1 非外延生长的FePt薄膜的取向第56-57页
        3.4.2 非外延生长的FePt薄膜的磁性第57-58页
        3.4.3 非外延生长的FePt薄膜的形貌和微结构第58页
    3.5 L1_0相FePt薄膜的非外延生长机制第58-60页
    3.6 结论第60-62页
    参考文献第62-63页
第四章 Ru/Ag金属覆盖层对FePt薄膜微结构和磁性的调控第63-78页
    4.1 引言第63页
    4.2 样品制备第63-64页
    4.3 不同覆盖层对FePt薄膜的微结构与磁性的影响第64-70页
        4.3.1 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜结构的影响第64-65页
        4.3.2 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜磁性的影响第65-66页
        4.3.3 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜形貌和微结构的影响第66-67页
        4.3.4 覆盖层对不同厚度的FePt薄膜微结构与磁性的影响第67-70页
    4.5 分析与讨论第70-72页
    4.6 展望第72-75页
    4.7 结论第75-76页
    参考文献第76-78页
第五章 介电和铁电基底上FePt薄膜磁性的电场调控研究第78-113页
    5.1 引言第78-80页
    5.2 磁各向异性的电场调控第80-88页
        5.2.1 基于应力效应机制的磁各向异性电场调控第80-81页
        5.2.2 基于电荷效应机制的磁各向异性电场调控第81-88页
    5.3 样品制备第88-89页
    5.4 FePt薄膜溅射沉积基片温度的确定第89-91页
    5.5 FePt/SrTiO_3(001)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控第91-96页
        5.5.1 电场对FePt/SrTiO_3(001)异质结构中FePt磁性的调控第92-93页
        5.5.2 相同电场条件下FePt薄膜多次测量矫顽力的不一致第93-95页
        5.5.3 分析与讨论第95-96页
    5.6 FePt/PMN-PT(111)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控第96-101页
        5.6.1 PMN-PT(111)基片的铁电特性第96-97页
        5.6.2 电场对FePt/PMN-PT(111)异质结构中FePt磁性的调控第97-99页
        5.6.3 PMN-PT(111)基片的压电特性第99-100页
        5.6.4 分析与讨论第100-101页
    5.7 FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控第101-109页
        5.7.1 电场对FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt磁性的调控第101-103页
        5.7.2 PMN-PT(001)基片的压电和铁电特性第103-105页
        5.7.3 FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt磁性的非易失性调控第105-107页
        5.7.4 分析与讨论第107-109页
    5.8 结论第109-110页
    参考文献第110-113页
第六章 结论与展望第113-116页
    6.1 结论第113-114页
    6.2 工作展望第114-116页
在学期间的研究成果第116-118页
致谢第118页

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