中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-32页 |
1.1 磁记录技术发展简史 | 第13-14页 |
1.2 硬盘工作原理与磁记录技术简介 | 第14-22页 |
1.2.1 HDD硬盘工作原理简介 | 第15-18页 |
1.2.2 水平磁记录与垂直磁记录技术 | 第18-22页 |
1.3 磁记录技术发展趋势 | 第22-28页 |
1.4 本论文的研究意义与主要内容 | 第28-30页 |
参考文献 | 第30-32页 |
第二章 薄膜的制备与表征 | 第32-52页 |
2.1 薄膜制备 | 第32-36页 |
2.2 薄膜成分分析与微观表征 | 第36-40页 |
2.3 薄膜宏观磁性与宏观电性表征 | 第40-46页 |
2.4 扫描探针显微镜 | 第46-50页 |
参考文献 | 第50-52页 |
第三章 垂直各向异性FePt薄膜的非外延生长 | 第52-63页 |
3.1 引言 | 第52-53页 |
3.2 L1_0相FePt薄膜的磁晶各向异性及微观机理 | 第53-55页 |
3.2.1 Fe-Pt合金的磁性起源 | 第54页 |
3.2.2 Fe-Pt合金的磁晶各向异性微观机理 | 第54-55页 |
3.3 样品制备 | 第55-56页 |
3.4 L1_0相FePt薄膜的非外延生长制备 | 第56-58页 |
3.4.1 非外延生长的FePt薄膜的取向 | 第56-57页 |
3.4.2 非外延生长的FePt薄膜的磁性 | 第57-58页 |
3.4.3 非外延生长的FePt薄膜的形貌和微结构 | 第58页 |
3.5 L1_0相FePt薄膜的非外延生长机制 | 第58-60页 |
3.6 结论 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-63页 |
第四章 Ru/Ag金属覆盖层对FePt薄膜微结构和磁性的调控 | 第63-78页 |
4.1 引言 | 第63页 |
4.2 样品制备 | 第63-64页 |
4.3 不同覆盖层对FePt薄膜的微结构与磁性的影响 | 第64-70页 |
4.3.1 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜结构的影响 | 第64-65页 |
4.3.2 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜磁性的影响 | 第65-66页 |
4.3.3 不同退火温度条件下覆盖层对FePt薄膜形貌和微结构的影响 | 第66-67页 |
4.3.4 覆盖层对不同厚度的FePt薄膜微结构与磁性的影响 | 第67-70页 |
4.5 分析与讨论 | 第70-72页 |
4.6 展望 | 第72-75页 |
4.7 结论 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-78页 |
第五章 介电和铁电基底上FePt薄膜磁性的电场调控研究 | 第78-113页 |
5.1 引言 | 第78-80页 |
5.2 磁各向异性的电场调控 | 第80-88页 |
5.2.1 基于应力效应机制的磁各向异性电场调控 | 第80-81页 |
5.2.2 基于电荷效应机制的磁各向异性电场调控 | 第81-88页 |
5.3 样品制备 | 第88-89页 |
5.4 FePt薄膜溅射沉积基片温度的确定 | 第89-91页 |
5.5 FePt/SrTiO_3(001)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控 | 第91-96页 |
5.5.1 电场对FePt/SrTiO_3(001)异质结构中FePt磁性的调控 | 第92-93页 |
5.5.2 相同电场条件下FePt薄膜多次测量矫顽力的不一致 | 第93-95页 |
5.5.3 分析与讨论 | 第95-96页 |
5.6 FePt/PMN-PT(111)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控 | 第96-101页 |
5.6.1 PMN-PT(111)基片的铁电特性 | 第96-97页 |
5.6.2 电场对FePt/PMN-PT(111)异质结构中FePt磁性的调控 | 第97-99页 |
5.6.3 PMN-PT(111)基片的压电特性 | 第99-100页 |
5.6.4 分析与讨论 | 第100-101页 |
5.7 FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt薄膜磁性的电场调控 | 第101-109页 |
5.7.1 电场对FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt磁性的调控 | 第101-103页 |
5.7.2 PMN-PT(001)基片的压电和铁电特性 | 第103-105页 |
5.7.3 FePt/PMN-PT(001)异质结构中FePt磁性的非易失性调控 | 第105-107页 |
5.7.4 分析与讨论 | 第107-109页 |
5.8 结论 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-113页 |
第六章 结论与展望 | 第113-116页 |
6.1 结论 | 第113-114页 |
6.2 工作展望 | 第114-116页 |
在学期间的研究成果 | 第116-118页 |
致谢 | 第118页 |