| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言——微纳电子技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 Flash存储器所面临的挑战及改进方案 | 第10-18页 |
| 1.2.1 传统浮栅存储器所面临的挑战 | 第11-13页 |
| 1.2.2 新型浮栅存储器——纳米硅量子点浮栅存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 基于新型存储技术的非易失性存储器——阻变存储器 | 第14-18页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 0.13μm工艺线上纳米硅浮栅存储器的制备与器件物理研究 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 0.13μm CMOS工艺线上制备的纳米硅量子点浮栅存储单管的结构与器件特性 | 第23-32页 |
| 2.2.1 栅长为0.17μm的纳米硅量子点存储器单管的制备与结构表征 | 第24-27页 |
| 2.2.2 栅长为0.17μm的纳米硅量子点存储器单管的器件特性 | 第27-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 8Kb NOR功能纳米硅量子点浮栅存储器芯片的设计 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 8Kb纳米硅量子点浮栅存储器芯片的外围电路及NOR型架构设计 | 第35-37页 |
| 3.3 8Kb纳米硅量子点浮栅存储器芯片的工作参数选取 | 第37-42页 |
| 3.3.1 8Kb NOR功能纳米硅量子点浮栅存储阵列中操作电压的选取 | 第37-39页 |
| 3.3.2 8Kb NOR功能纳米硅量子点浮栅存储芯片外围读电路的设计 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第四章 亚氧化硅(SiO_x)薄膜材料优化阻变存储特性的研究 | 第44-59页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 亚氧化硅SiO_x薄膜的制备和表征 | 第45-51页 |
| 4.2.1 亚氧化硅(SiO_x)薄膜的制备 | 第45-47页 |
| 4.2.2 SiO_x薄膜的XPS分析 | 第47-49页 |
| 4.2.3 SiO_x薄膜的EPR分析 | 第49-51页 |
| 4.3 ITO/SiO_x/Si/AL结构的制备和电学特性分析 | 第51-56页 |
| 4.3.1 ITO/SiO_x/Si/AL结构的制备 | 第51页 |
| 4.3.2 ITO/SiO_x/Si/AL结构的I-V特性分析 | 第51-52页 |
| 4.3.3 优化阻变特性与退火温度的关系 | 第52-54页 |
| 4.3.4 电极尺寸对SiO_x薄膜阻变特性的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
