| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物的概述与研究历程 | 第11-13页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物的结构和基本性质 | 第13-20页 |
| §1.2.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构 | 第13-14页 |
| §1.2.2 Ⅲ族氮化物的能带结构 | 第14-16页 |
| §1.2.3 Ⅲ族氮化物的基本性质 | 第16-20页 |
| §1.3 GaN薄膜材料的光学特性 | 第20-22页 |
| §1.4 GaN纳米柱的光学特性 | 第22-26页 |
| §1.5 本文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 光致发光谱原理及应用 | 第27-34页 |
| §2.1 引言 | 第27页 |
| §2.2 光致发光基本原理 | 第27-32页 |
| §2.2.1 光致发光基本概念 | 第27-28页 |
| §2.2.2 半导体材料中的辐射复合与非辐射复合 | 第28-31页 |
| §2.2.3 半导体材料的发光效率 | 第31-32页 |
| §2.3 光致发光谱的应用 | 第32页 |
| §2.4 本文实验所用PL装置 | 第32-34页 |
| 第三章 GaN纳米柱的光致发光特性研究 | 第34-46页 |
| §3.1 引言 | 第34页 |
| §3.2 GaN纳米柱的制备 | 第34-36页 |
| §3.3 实验 | 第36-37页 |
| §3.4 GaN纳米柱和薄膜样品实验数据及数据分析 | 第37-44页 |
| §3.4.1 GaN纳米柱和薄膜样品实验数据 | 第37-38页 |
| §3.4.2 GaN纳米柱和薄膜样品实验数据处理 | 第38-41页 |
| §3.4.3 GaN纳米柱和薄膜样品数据讨论 | 第41-44页 |
| §3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 GaN纳米柱的量子效率研究 | 第46-58页 |
| §4.1 引言 | 第46-47页 |
| §4.2 实验 | 第47-48页 |
| §4.3 GaN纳米柱的量子效率研究 | 第48-57页 |
| §4.3.1 GaN纳米柱和薄膜样品PL谱强度分析 | 第48-51页 |
| §4.3.2 传统方法计算GaN纳米柱和薄膜样品的内量子效率 | 第51-52页 |
| §4.3.3 建立内量子效率模型,计算GaN纳米柱和薄膜的内量子效率 | 第52-57页 |
| §4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及参加的学术会议 | 第67-68页 |
