| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第12-19页 |
| 1.2.1 量子限域效应 | 第12-14页 |
| 1.2.2 制备方法 | 第14-16页 |
| 1.2.3 硅锗纳米晶的应用 | 第16-19页 |
| 1.3 本文研究工作 | 第19-20页 |
| 2 实验设备与方法 | 第20-28页 |
| 2.1 磁控溅射原理和设备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第20-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜设备简述 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜的沉积 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜的热处理 | 第25页 |
| 2.4 薄膜的结构表征 | 第25-27页 |
| 2.4.1 透过率与反射率光谱的测量 | 第26页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱 | 第26页 |
| 2.4.3 扫描电子式显微镜 | 第26-27页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜 | 第27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 Si纳米晶镶嵌SiO_2薄膜的生长及表征 | 第28-43页 |
| 3.1 SiO_x薄膜的沉积和表征 | 第28-38页 |
| 3.1.1 反应磁控溅射制备SiO_x薄膜 | 第28-30页 |
| 3.1.2 溅射气体氛围对SiO_x薄膜成分的影响 | 第30-33页 |
| 3.1.3 SiO_x薄膜的光学特性 | 第33-36页 |
| 3.1.4 SiO_x薄膜的结构特性 | 第36-38页 |
| 3.2 Si纳米晶薄膜的表征 | 第38-42页 |
| 3.2.1 SiO_x薄膜的退火 | 第38-39页 |
| 3.2.2 高温真空慢退火对Si纳米晶的影响 | 第39页 |
| 3.2.3 高温快速退火对Si纳米晶的影响 | 第39-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 Ge纳米晶镶嵌SiO_2薄膜的生长及表征 | 第43-62页 |
| 4.1 GeSiO膜层的沉积 | 第43-48页 |
| 4.1.1 单靶溅射的沉积速率及膜层成分研究 | 第43-45页 |
| 4.1.2 双靶共溅制备GeSiO膜层 | 第45-48页 |
| 4.2 Ge纳米晶薄膜的表征 | 第48-60页 |
| 4.2.1 GeSiO薄膜的退火 | 第48-49页 |
| 4.2.2 溅射气体氛围对Ge纳米晶的影响 | 第49-55页 |
| 4.2.3 退火温度对Ge纳米晶的影响 | 第55-59页 |
| 4.2.4 Ge纳米晶薄膜的光学带隙 | 第59-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 5 多层Ge纳米晶镶嵌SiO_2薄膜的生长和表征 | 第62-69页 |
| 5.1 GeSiO/SiO_2多层膜的生长 | 第62-64页 |
| 5.1.1 GeSiO/SiO_2多层膜的结构设计 | 第62-63页 |
| 5.1.2 GeSiO/SiO_2多层膜的沉积 | 第63-64页 |
| 5.2 多层Ge纳米晶薄膜的表征 | 第64-68页 |
| 5.2.1 GeSiO/SiO_2多层膜的退火 | 第64-66页 |
| 5.2.2 NC-Ge/SiO_2多层膜的PL谱 | 第66-67页 |
| 5.2.3 NC-Ge/SiO_2多层膜的光学带隙 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 6 总结与展望 | 第69-72页 |
| 6.1 论文内容总结 | 第69-70页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 作者简历 | 第79页 |
