| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 压接型IGBT国内外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 国内研究现状 | 第10页 |
| 1.2.2 国外发展现状 | 第10-16页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 基于压接型IGBT样管的受力分析 | 第17-29页 |
| 2.1 焊接IGBT与压接式IGBT封装流程对比分析 | 第17-18页 |
| 2.2 仿真软件的简介 | 第18页 |
| 2.3 仿真模型 | 第18-20页 |
| 2.3.1 芯片编号 | 第19-20页 |
| 2.3.2 截面抽取 | 第20页 |
| 2.3.3 截线抽取 | 第20页 |
| 2.4 组件无公差下器件的受力分布 | 第20-26页 |
| 2.4.1 标准压力下器件的压力分布 | 第21-22页 |
| 2.4.2 热力耦合下器件的压力分布 | 第22-23页 |
| 2.4.3 力场与热力耦合场芯片对比分析 | 第23-26页 |
| 2.5 组件有公差且在力场下的受力分析 | 第26-28页 |
| 2.5.1 公差来源介绍 | 第26页 |
| 2.5.2 单模组大钼片增高1μm、5μm、10μm芯片的压力分布 | 第26-27页 |
| 2.5.3 外圈模组大钼片增高6μm芯片的压力分布 | 第27-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 基于单凸台烧结与不烧结FRD热阻对比分析 | 第29-47页 |
| 3.1 热能传递原理 | 第29-30页 |
| 3.2 压接式IGBT热阻介绍及其结构图 | 第30-33页 |
| 3.2.1 器件封装热阻介绍 | 第30-32页 |
| 3.2.2 压接式IGBT热阻结构图 | 第32-33页 |
| 3.3 结到壳热阻测试方法 | 第33-36页 |
| 3.3.1 传统热电偶法 | 第33-35页 |
| 3.3.2 瞬态双界面测试法 | 第35-36页 |
| 3.4 纳米银烧结技术 | 第36-42页 |
| 3.4.1 烧结原理 | 第36-37页 |
| 3.4.2 纳米银焊膏简介 | 第37-38页 |
| 3.4.3 芯片与钼片的烧结工艺 | 第38-41页 |
| 3.4.4 烧结注意事项 | 第41-42页 |
| 3.5 FRD模组热阻测试 | 第42-45页 |
| 3.5.1 热阻测试设备介绍 | 第42-43页 |
| 3.5.2 单凸台FRD模组热阻结构 | 第43-44页 |
| 3.5.3 烧结与不烧结FRD模组热阻测试及结果分析 | 第44-45页 |
| 3.6 单凸台FRD热阻计算及仿真分析 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 样管内部芯片均压优化 | 第47-51页 |
| 4.1 不同IGBT结构类型芯片受力对比分析 | 第47-49页 |
| 4.1.1 正方形结构IGBT | 第47-48页 |
| 4.1.2 长方形结构IGBT | 第48-49页 |
| 4.2 中心区域大钼片增高1μm | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 5.1 结论 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
