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硅像素探测器应用于BESⅢ漂移室内室升级的离线校准方法的模拟研究

中文摘要第4-5页
英文摘要第5-6页
引言第9-16页
    1.1 粒子物理学及探测器介绍第9-10页
        1.1.1 粒子物理学介绍第9页
        1.1.2 径迹探测器第9-10页
        1.1.3 硅像素探测器第10页
    1.2 BESⅢ结构简介第10-11页
    1.3 离线软件系统及校准方法介绍第11-14页
        1.3.1 事例重建流程第13页
        1.3.2 MDC径迹重建效率介绍第13-14页
    1.4 论文结构设计第14-16页
2 MDC的内室升级备选方案介绍第16-20页
    2.1 新丝室方案第16-17页
    2.2 圆筒GEM(CGEM)方案第17-18页
    2.3 硅像素径迹室方案第18-20页
3 BESⅢ漂移室内室升级中SPT校准方法的模拟研究第20-42页
    3.1 径迹探测器校准的必要性第20页
    3.2 SPT的几何结构第20-21页
    3.3 漂移室外室几何结构第21-22页
    3.4 基于SPT内室的BESⅢ几何结构的空间坐标设定第22-23页
    3.5 模拟数据产生流程第23-25页
    3.6 明确内室击中点的方法介绍第25-27页
    3.7 明确外室击中位置的方法介绍第27-28页
    3.8 径迹拟合第28-31页
        3.8.1 Minuit拟合介绍第28-30页
        3.8.2 离线软件实现螺旋线拟合算法流程第30-31页
    3.9 校准方法介绍第31-37页
        3.9.1 校准参数第31-33页
        3.9.2 校准方法第33-35页
        3.9.3 校准参数的选取第35页
        3.9.4 校准方法在以硅像素径迹室为漂移室内室的BESⅢ探测器几何结构的背景下的理论实现过程及原理第35页
        3.9.5 校准方法的离线软件实现第35页
        3.9.6 离线软件校准流程第35-37页
    3.10 残差法模拟研究结果第37-42页
        3.10.1 残差法校准结果——以ladder作为最小探测单元第38-40页
        3.10.2 以芯片为独立变量的残差法校准结果第40-42页
4 研究DT_pKpi正负proton产额不对称性之重建部分的原因第42-51页
    4.1 DT_pKpi正负质子产额不对称第42-44页
        4.1.1 事例显示器第42-43页
        4.1.2 DT_pKpi正负质子产额不对称现象第43-44页
    4.2 研究正负proton的重建效率第44-51页
        4.2.1 研究方法第44页
        4.2.2 实现过程第44-45页
        4.2.3 统计结果第45-51页
总结第51-52页
参考文献第52-54页
致谢第54-55页
在学期间公开发表论文及著作情况第55页

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