| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-37页 |
| 2.1 钙钛矿相铁电薄膜材料概述 | 第17-22页 |
| 2.1.1 钙钛矿相铁电薄膜简介 | 第17-19页 |
| 2.1.2 铁电薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.1.3 钙钛矿相铁电薄膜的理论研究进展 | 第21-22页 |
| 2.2 铁电薄膜的介电损耗及其低损耗研究进展 | 第22-25页 |
| 2.2.1 电介质极化与介电损耗 | 第22-23页 |
| 2.2.2 掺杂降低铁电薄膜介电损耗的研究进展 | 第23-25页 |
| 2.2.3 其他方法降低铁电薄膜介电损耗的研究进展 | 第25页 |
| 2.3 铁电薄膜的介电可调性能和高介电可调薄膜研究进展 | 第25-28页 |
| 2.3.1 铁电薄膜的介电可调性能 | 第25-26页 |
| 2.3.2 铁电薄膜取向生长与高介电可调性 | 第26-27页 |
| 2.3.3 铁电薄膜中的应力与取向生长以及介电可调性的关系 | 第27-28页 |
| 2.4 铁电薄膜的介电性能及其高介电薄膜研究进展 | 第28-32页 |
| 2.4.1 介电体的介电性能 | 第28页 |
| 2.4.2 高介电薄膜研究进展 | 第28-30页 |
| 2.4.3 材料的复合与渗流效应对薄膜高介电的贡献 | 第30页 |
| 2.4.4 纳米导电相与介电相复合渗流型薄膜的研究现状 | 第30-32页 |
| 2.5 渗流型薄膜中纳米导电相颗粒制备研究进展 | 第32-33页 |
| 2.6 本文研究的目的和意义 | 第33-37页 |
| 第三章 实验 | 第37-47页 |
| 3.1 实验原料与仪器 | 第37-39页 |
| 3.1.1 药品与试剂 | 第37-38页 |
| 3.1.2 制备样品涉及的设备 | 第38页 |
| 3.1.3 测试仪器 | 第38-39页 |
| 3.2 薄膜制备 | 第39-42页 |
| 3.2.1 基板清洗工艺 | 第39页 |
| 3.2.2 取向钛酸铅(PT)溶胶的配制 | 第39页 |
| 3.2.3 钛酸锶铅(PST)溶胶的配制 | 第39-40页 |
| 3.2.4 银-锆钛酸铅(Ag-PZT)溶胶的配制 | 第40-41页 |
| 3.2.5 取向PT薄膜制备 | 第41页 |
| 3.2.6 掺杂PST和Ag/PZT薄膜制备 | 第41页 |
| 3.2.7 取向PST和取向PZT/Ag薄膜制备 | 第41-42页 |
| 3.3 薄膜材料的结构、形貌、成分和性能测试 | 第42-47页 |
| 3.3.1 XRD测试 | 第42页 |
| 3.3.2 SEM、TEM和AFM测试 | 第42-44页 |
| 3.3.3 EDX和XPS测试 | 第44页 |
| 3.3.4 UV-VIS吸收测试 | 第44-45页 |
| 3.3.5 介电性能测试 | 第45页 |
| 3.3.6 铁电性能测试 | 第45-47页 |
| 第四章 Mg掺杂PST薄膜的制备及其介电性能研究 | 第47-61页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 Mg掺杂PST薄膜的晶相形成研究 | 第47-53页 |
| 4.2.1 PST晶相的形成及其掺杂行为研究 | 第47-50页 |
| 4.2.2 B位掺杂Mg~(2+)对PST薄膜结晶的抑制行为研究 | 第50-51页 |
| 4.2.3 掺杂与缺陷的形成对PST晶格常数的控制研究 | 第51-53页 |
| 4.3 PST薄膜中缺陷偶极子对的形成研究 | 第53-55页 |
| 4.3.1 掺杂对薄膜中各离子的状态影响研究 | 第53-54页 |
| 4.3.2 掺杂对薄膜中缺陷偶极子对的形成影响研究 | 第54-55页 |
| 4.4 Mg掺杂PST薄膜中偶极子对和缺陷对介电及可调性能的控制性研究 | 第55-58页 |
| 4.3.1 偶极子对和缺陷对PST薄膜介电性能的影响研究 | 第55-57页 |
| 4.3.2 偶极子对和缺陷对PST薄膜介电可调性能的影响研究 | 第57-58页 |
| 4.5 结论 | 第58-61页 |
| 第五章 ITO基板和取向PT基板上Ag掺杂PzT薄膜的制备研究 | 第61-93页 |
| 5.1 引言 | 第61-62页 |
| 5.2 ITO基板上Ag掺杂PZT薄膜的制备研究 | 第62-71页 |
| 5.2.1 ITO基板上Ag掺杂PZT薄膜晶相的形成以及相结构组成 | 第62-66页 |
| 5.2.2 Ag掺杂对PZT形成和晶格常数的影响 | 第66-69页 |
| 5.2.3 不同热处理时间下薄膜中银相结构的演变 | 第69-70页 |
| 5.2.4 掺杂PZT薄膜渗流结构体系的形成 | 第70-71页 |
| 5.3 PT基板上Ag掺杂PZT薄膜制备及其机理研究 | 第71-75页 |
| 5.3.1 取向PT上制备的Ag掺杂PZT薄膜的取向形成研究 | 第71-72页 |
| 5.3.2 取向PZT薄膜中纳米银的形成机理及渗流结构的形成 | 第72-75页 |
| 5.4 随机取向薄膜中由Ag-Pb合金过渡中间相控制的纳米银形成及其机理研究 | 第75-90页 |
| 5.4.1 PZT薄膜中Ag-Pb合金形成研究 | 第76-83页 |
| 5.4.2 PT薄膜中Ag-Pb合金形成研究 | 第83-86页 |
| 5.4.3 过渡相Ag-Pb合金分解控制纳米银形成 | 第86-90页 |
| 5.5 结论 | 第90-93页 |
| 第六章 Ag掺杂PZT薄膜的渗流效应以及对薄膜介电铁电性能的影响 | 第93-105页 |
| 6.1 引言 | 第93-94页 |
| 6.2 非取向Ag掺杂PZT薄膜的渗流效应以及对铁电介电性能的影响 | 第94-100页 |
| 6.2.1 非取向Ag掺杂PZT薄膜中的纳米银颗粒与渗流结构 | 第94-95页 |
| 6.2.2 渗流结构非取向Ag掺杂PZT薄膜的介电常数 | 第95-97页 |
| 6.2.3 渗流结构非取向Ag掺杂PZT薄膜的介电可调性能 | 第97-98页 |
| 6.2.4 渗流结构非取向Ag掺杂PZT薄膜的铁电性能 | 第98-100页 |
| 6.3 取向Ag掺杂PZT薄膜的渗流效应以及对介电常数的影响 | 第100-102页 |
| 6.3.1 取向Ag掺杂PZT薄膜中的纳米银颗粒与渗流结构 | 第100页 |
| 6.3.2 取向Ag掺杂PZT渗流结构薄膜的介电常数 | 第100-102页 |
| 6.4 结论 | 第102-105页 |
| 第七章 取向PST和PZT薄膜的高介电可调研究 | 第105-117页 |
| 7.1 引言 | 第105-106页 |
| 7.2 取向PST薄膜中应力对介电可调性的影响研究 | 第106-112页 |
| 7.2.1 不同晶格匹配条件下(100)取向PST薄膜的形成研究 | 第106-108页 |
| 7.2.2 取向PST薄膜中晶格错配对应力形成的研究 | 第108-110页 |
| 7.2.3 薄膜中的应力存在对介电可调性能的控制 | 第110-112页 |
| 7.3 取向PZT复合纳米银渗流结构的介电可调性能 | 第112-114页 |
| 7.3.1 垂直方向外电压下纳米银复合取向PZT薄膜的介电可调性能 | 第112-113页 |
| 7.3.2 水平方向外电压下纳米银复合取向PZT薄膜的介电可调性能 | 第113-114页 |
| 7.4 结论 | 第114-117页 |
| 第八章 PZT薄膜中立方相和六方相纳米银的形成及其对光学性能的影响 | 第117-127页 |
| 8.1 引言 | 第117页 |
| 8.2 PZT薄膜中立方和六方纳米银的形成研究 | 第117-124页 |
| 8.2.1 溶胶中六方相纳米银的形成研究 | 第117-120页 |
| 8.2.2 PZT薄膜中立方和六方相纳米银的形成研究 | 第120-124页 |
| 8.3 六方纳米银和立方纳米银共存复合PZT薄膜的光学性能 | 第124-125页 |
| 8.4 结论 | 第125-127页 |
| 第九章 全文总结与展望 | 第127-131页 |
| 9.1 全文结论 | 第127-129页 |
| 9.2 存在问题与展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 个人简历 | 第145-147页 |
| 攻读学位期间发表的论文与取得的其他研究成果 | 第147-148页 |
