| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体光催化技术 | 第9-12页 |
| 1.2.1 半导体光催化的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体光催化的反应原理 | 第10-11页 |
| 1.2.3 光催化剂研究与应用存在的问题 | 第11-12页 |
| 1.3 影响光催化剂活性的因素 | 第12-13页 |
| 1.3.1 材料本身的因素 | 第12页 |
| 1.3.2 制备条件的因素 | 第12页 |
| 1.3.3 光催化反应过程中的因素 | 第12-13页 |
| 1.4 可见光响应的光催化剂 | 第13-14页 |
| 1.5 Bi_2WO_6的改性方法 | 第14-17页 |
| 1.5.1 离子掺杂 | 第14-15页 |
| 1.5.1.1 非金属离子掺杂 | 第15页 |
| 1.5.1.2 金属离子掺杂 | 第15页 |
| 1.5.2 贵金属沉积 | 第15-16页 |
| 1.5.3 半导体耦合 | 第16-17页 |
| 1.6 本论文的研究工作 | 第17-19页 |
| 第2章 实验试剂、设备及表征仪器 | 第19-27页 |
| 2.1 实验试剂 | 第19页 |
| 2.2 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.3 表征仪器 | 第20-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第20页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
| 2.3.3 场发射透射电子显微镜 | 第21-22页 |
| 2.3.4 物理吸附仪 | 第22-23页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱仪 | 第23页 |
| 2.3.6 光催化反应仪 | 第23-24页 |
| 2.3.7 紫外-可见分光光度计 | 第24-27页 |
| 第3章 三维分级结构Bi_2WO_6的制备和可见光催化性能 | 第27-49页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 实验部分 | 第28-29页 |
| 3.2.1 Bi_2WO_6晶体的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 光催化降解实验 | 第29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-46页 |
| 3.3.1 Bi_2WO_6晶体的表征 | 第29-38页 |
| 3.3.2 三维分级结构Bi_2WO_6的生长机理 | 第38-42页 |
| 3.3.3 pH值的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.4 光催化性能和机理 | 第43-46页 |
| 3.4 总结 | 第46-49页 |
| 第4章 Pd负载Bi_2WO_6的制备和可见光催化性能 | 第49-65页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 4.2.1 制备 | 第50页 |
| 4.2.2 光催化降解实验 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-63页 |
| 4.3.1 Pd@Bi_2WO_6光催化剂的表征 | 第50-59页 |
| 4.3.2 光催化性能 | 第59-61页 |
| 4.3.3 Pd@Bi_2WO_6光催化机理 | 第61-63页 |
| 4.4 总结 | 第63-65页 |
| 总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
