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0.5eV到数百keV能区中子通量密度监测器的理论设计与实验研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-23页
   ·引言第11-15页
   ·本论文工作的意义、目的和主要内容第15-16页
     ·本论文工作的意义和目的第15页
     ·本论文工作的主要内容第15-16页
 参考文献第16-23页
第二章 理论基础与方法介绍第23-55页
   ·中子的基本性质第23-24页
   ·中子与物质的相互作用第24-27页
     ·中子与原子核的相互作用第24-25页
     ·基本物理量第25-27页
   ·中子探测第27-30页
     ·中子探测的重要性第27页
     ·中子探测的基本原理与方法第27-30页
   ·中子通量密度的测量第30-37页
     ·中子通量密度测量的重要性第30页
     ·中子通量密度的定义、单位及计算方法第30-31页
     ·中子通量密度测量的基本方法第31-33页
     ·活化法测量中子通量密度第33-37页
   ·放射性测量中的一些修正第37-48页
     ·探测器几何因子的修正第38-40页
     ·γ 射线在样品中的自吸收修正第40-42页
     ·γ 射线级联符合效应的修正第42-48页
   ·蒙特卡罗方法及MCNP程序简介第48-53页
     ·蒙特卡罗方法简介第48-49页
     ·MCNP程序介绍第49-53页
 参考文献第53-55页
第三章 超热中子通量密度监测器的理论设计第55-119页
   ·设计原理及基本要求第55-56页
     ·设计原理第55页
     ·基本要求第55-56页
   ·材料的选择第56-65页
     ·可活化核素的初步选择第56-60页
     ·中子慢化材料的选择第60-63页
     ·热中子吸收材料的选择第63-65页
   ·MCNP程序模拟第65-66页
   ·可活化核素及活化材料的最终选定第66-86页
     ·可活化核素的最终选定第66-85页
     ·活化材料的选定第85-86页
   ·结果与讨论第86-117页
     ·活化材料GaN厚度的确定第86-100页
     ·活化材料GaN几何形状的选择第100-102页
     ·活化材料GaN几何尺寸的选定第102-104页
     ·热中子吸收材料Cd厚度的选择第104-115页
     ·监测器的设计结果与讨论第115-117页
   ·小结第117-118页
 参考文献第118-119页
第四章 十到数百keV能区中子通量密度监测器的理论设计第119-137页
   ·设计原理及基本要求第120页
     ·设计原理第120页
     ·基本要求第120页
   ·材料的选择第120-122页
     ·活化材料的选择第120页
     ·中子慢化材料的选择第120-121页
     ·热中子和超热中子吸收材料的选择第121-122页
   ·MCNP程序模拟第122-123页
   ·监测器的设计过程第123-131页
   ·监测器的设计结果与讨论第131-135页
   ·小结第135-136页
 参考文献第136-137页
第五章 监测器性能的实验测试第137-163页
   ·中子源装置第137-138页
   ·超热中子通量密度监测器性能的实验测试第138-150页
     ·实验设计第138-141页
     ·实验平台搭建第141-142页
     ·监测器制作第142-144页
     ·实验过程第144-146页
     ·实验结果分析与讨论第146-150页
   ·十到数百keV能区中子通量密度监测器性能的实验测试第150-161页
     ·实验设计第150-153页
     ·实验平台搭建第153-154页
     ·监测器制作第154页
     ·实验过程第154-156页
     ·实验结果分析与讨论第156-161页
   ·小结第161-162页
 参考文献第162-163页
第六章 总结与展望第163-167页
   ·总结第163-165页
   ·展望第165-167页
在学期间的研究成果第167-169页
致谢第169-170页

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