| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·太阳能电池概述 | 第11-14页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第11页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第11-12页 |
| ·CuInS_2的制备方法 | 第12-14页 |
| ·第一性原理计算概述 | 第14-16页 |
| ·薛定谔方程和绝热近似 | 第14-15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-16页 |
| ·固体能带理论 | 第16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验部分及模拟计算 | 第17-22页 |
| ·实验部分 | 第17-20页 |
| ·实验步骤 | 第17-18页 |
| ·实验试剂和设备 | 第18-19页 |
| ·材料性能测试 | 第19-20页 |
| ·计算部分 | 第20-22页 |
| ·VASP | 第20页 |
| ·Materials Studio | 第20页 |
| ·VESTA | 第20页 |
| ·Findit | 第20-22页 |
| 第3章 CuIn_(1-x)Ga_xS_2能带的计算 | 第22-42页 |
| ·黄铜矿结构CunS_2能带计算 | 第22-26页 |
| ·CuInS_2晶体模型的构建 | 第22页 |
| ·ENCUT收敛测试 | 第22-23页 |
| ·K-mesh收敛测试 | 第23-24页 |
| ·晶格常数的优化 | 第24页 |
| ·CuInS_2能带计算及分析 | 第24-26页 |
| ·CuIn_(0.75)Ga_(0.25)S_-2能带计算 | 第26-29页 |
| ·CuIn_(0.75)Ga_(0.25)S_2晶体模型的构建 | 第26页 |
| ·ENCUT收敛测试 | 第26页 |
| ·K-mesh收敛测试 | 第26-27页 |
| ·晶格常数的优化 | 第27-28页 |
| ·CuIn_(0.25)Ca_(0.75)S_2能带计算及分析 | 第28-29页 |
| ·CuIn_(0.5)Ga_(0.5)S_2能带计算 | 第29-32页 |
| ·CuIn_(0.5)Ga_(0.5)S_2晶体模型的构建 | 第29-30页 |
| ·ENCUT收敛测试 | 第30-31页 |
| ·K-mesh收敛测试 | 第31页 |
| ·晶格常数的优化 | 第31-32页 |
| ·CuIn_(0.5)Ga_(0.5)S_2能带计算及分析 | 第32页 |
| ·CuIn_(0.25)Ca_(0.75)S_2能带计算 | 第32-36页 |
| ·CuIn_(0.25)Ga_(0.75)S_2晶体模型的构建 | 第32-34页 |
| ·ENCUT收敛测试 | 第34页 |
| ·K-mesh收敛测试 | 第34页 |
| ·晶格常数的优化 | 第34-36页 |
| ·CuIn_(0.25)Ga_(0.75)S_2能带计算及分析 | 第36页 |
| ·黄铜矿结构CuGaS2能带计算 | 第36-39页 |
| ·CuGaS_2晶体模型的构建 | 第36页 |
| ·ENCUT收敛测试 | 第36页 |
| ·K-mesh收敛测试 | 第36-38页 |
| ·晶格常数的优化 | 第38页 |
| ·CuGaS_2能带计算及分析 | 第38-39页 |
| ·掺Ga浓度对CuIn_(1-x)Ga_xS_2晶体结构的影响 | 第39-40页 |
| ·掺Ga浓度对CuIn_(1-x)Ga_xS_2能带带隙的影响 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 CuInS_2薄膜的制备及性能表征 | 第42-57页 |
| ·硝酸盐和乙醇为原料制备CuInS_2薄膜 | 第42-50页 |
| ·硫代乙酰胺为硫源制备CuInS_2薄膜 | 第42-45页 |
| ·硫脲为硫源制备CuInS_2薄膜 | 第45-46页 |
| ·升华硫粉为硫源制备CuInS_2薄膜 | 第46-48页 |
| ·不同硫源对制备CuInS_2薄膜的影响 | 第48-50页 |
| ·不同硫源对制备CuInS_2薄膜能带带隙的影响 | 第50页 |
| ·硝酸盐和硫脲为原料制备CuInS_2薄膜 | 第50-54页 |
| ·乙二胺为溶剂制备CuInS_2薄膜 | 第50-52页 |
| ·乙醇胺为溶剂制备CuInS2薄膜 | 第52页 |
| ·不同溶剂对制备CuInS_2薄膜的影响 | 第52-54页 |
| ·不同溶剂对制备CuInS_2薄膜能带带隙的影响 | 第54页 |
| ·CuInS_2薄膜成分分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜的制备及性能表征 | 第57-69页 |
| ·旋涂-化学共还原法制备CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜 | 第57-63页 |
| ·CuIn_(0.8)Ga_(0.2)S_2薄膜的制备 | 第57-59页 |
| ·CuIn_(0.6)Ga_(0.4)S_2薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·CuIn_(0.4)Ga_(0.6)S_2薄膜的制备 | 第60-61页 |
| ·CuIn_(0.2)Ga_(0.8)S_2薄膜的制备 | 第61-63页 |
| ·CuGaS_2薄膜的制备 | 第63页 |
| ·掺Ga浓度对CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜的影响 | 第63-64页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜的形貌分析 | 第64-66页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜的能带带隙分析 | 第66页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xS_2薄膜的成分分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第6章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第75页 |
