| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·超导的发现和基本特性 | 第11-16页 |
| ·超导的发现 | 第11页 |
| ·超导的两大基本特性 | 第11-12页 |
| ·同位素效应 | 第12-13页 |
| ·超导的微观理论 | 第13-16页 |
| ·百年超导回顾 | 第16-18页 |
| ·BiS_2层状超导体综述 | 第18-30页 |
| ·BiS_2超导体的结构 | 第18-19页 |
| ·BiS_2基超导体系的演变 | 第19-26页 |
| ·压力效应 | 第26-28页 |
| ·单晶生长和大的各向异性 | 第28页 |
| ·R_E(O,F)BiS_(2-x)Se_x的超导电性 | 第28-29页 |
| ·BiS_2基超导体的理论计算 | 第29-30页 |
| ·本文的研究思路及主要内容 | 第30-32页 |
| 第2章 实验技术及原理 | 第32-37页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| ·测试实验与表征 | 第33-36页 |
| ·X射线衍射原理与技术 | 第33-34页 |
| ·磁性测量分析 | 第34-36页 |
| ·电输运测试分析 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 LaOBiS_2的掺杂效应的探索 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·La_(0.8)M_(0.2)OBiS_2(M=Mo,Ir,Nb,Ti,Ta)的掺杂效应 | 第37-43页 |
| ·多晶样品的制备 | 第37-38页 |
| ·La_(0.8)M_(0.2)BiS_2(M=Mo,Ir,Nb,Ti,Ta)样品结构分析 | 第38-39页 |
| ·La_(0.8)M_(0.2)OBiS_2的磁测量 | 第39-41页 |
| ·La_(0.8)M_(0.2)OBiS_2的电输运分析 | 第41-42页 |
| ·La_(0.8)M_(0.2)BiS_2(M=Mo,Ir,Nb,Ti,Ta)的三次处理 | 第42-43页 |
| ·Pb元素系列掺杂效应研究 | 第43-51页 |
| ·Pb掺杂相关样品的制备 | 第43页 |
| ·LaOBi_(1-x)Pb_xS_2(x=0～0.3)的掺杂效应 | 第43-47页 |
| ·La_(1-x)Pb_xOBiS_2(x=0～0.1)的掺杂效应 | 第47-50页 |
| ·Yb_(0.8)Pb_(0.2)OBiS_2和YbOBi_(0.8)Pb_(0.2)S_2的磁性和结构测试 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第4章 Ta元素系列掺杂效应研究 | 第53-66页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·样品的制备 | 第53页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(x=0.03～0.3) (T=800℃)的超导电性 | 第53-60页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=800℃)的晶体结构 | 第53-55页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=800℃)的磁性测试分析 | 第55-57页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=800℃)的电子输运测试 | 第57-59页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=800℃)超导相图 | 第59-60页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(x=0.03～0.15)(T=850℃)的超导电性 | 第60-65页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=850℃)的晶格结构 | 第60-61页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=850℃)的电子输运测试 | 第61-64页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=850℃)的磁性测试分析 | 第64-65页 |
| ·La_(1-x)Ta_xOBiS_2(T=850℃)的电子相图 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第76页 |
