| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·介观系统 | 第9-10页 |
| ·二维拓扑绝缘体简介 | 第10-11页 |
| ·拓扑绝缘体的退相干效应 | 第11-12页 |
| ·量子自旋霍尔效应 | 第12-13页 |
| ·本论文的结构 | 第13-15页 |
| 第2章 非平衡输运理论 | 第15-29页 |
| ·非平衡输运的格林函数理论 | 第15-23页 |
| ·电流算符 | 第16页 |
| ·解析延拓 | 第16-17页 |
| ·格林函数的定义 | 第17-19页 |
| ·Keldysh 方程 | 第19-20页 |
| ·运动方程 | 第20-22页 |
| ·Landauer-Buttiker 公式 | 第22-23页 |
| ·二维 HgTe/CdTe 量子阱输运理论 | 第23-29页 |
| ·二维 HgTe/CdTe 量子阱的模型 | 第23-24页 |
| ·系统的哈密顿 | 第24-26页 |
| ·Landauer-Buttiker 透射系数 | 第26-27页 |
| ·有虚导线的 Landauer-Büttiker 公式 | 第27-29页 |
| 第3章 静态杂质对非局域电阻的影响 | 第29-40页 |
| ·静态杂质即无序作用对非局域电阻的影响 | 第29-33页 |
| ·系统在 Rashba SOI 分别在 =0 和 =50meVnm 时，对体系非局域电阻的影响 | 第30-32页 |
| ·系统有 Rashba SOI 的情况下，不同的无序强度对非局域电阻的影响 | 第32-33页 |
| ·弱磁场对非局域电阻的影响 | 第33-35页 |
| ·在静态杂质下，强磁场对非局域电阻的影响 | 第35-38页 |
| ·在强磁场下，非局域电阻随着无序作用的变化情况 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 二维拓扑绝缘体的退相干效应 | 第40-49页 |
| ·非静态杂质即退相干对非局域电阻的影响 | 第40-45页 |
| ·体系的输运电流随着退相干强度的变化情况 | 第40-42页 |
| ·退相干(dephasing)效应对非局域电阻的影响 | 第42-45页 |
| ·体系的非局域电阻随着退相干强度的变化情况 | 第45页 |
| ·在非静态杂质下，加磁场对非局域电阻的影响 | 第45-47页 |
| ·在非静态杂质下，弱磁场对非局域电阻的影响 | 第45-46页 |
| ·在非静态杂质下，强磁场对非局域电阻的影响 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
