施主缺陷（Zn_i,C）对ZnO:N薄膜光电特性的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO的结构与性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第13页 |
| ·ZnO中的本征缺陷介绍 | 第13-14页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂研究进展 | 第14-19页 |
| ·本征ZnO的p型和n型掺杂的不对称 | 第14-15页 |
| ·ZnO受主掺杂剂的选择 | 第15-19页 |
| ·ZnO:N薄膜的研究概况 | 第19-20页 |
| ·以NO作为掺杂源 | 第19页 |
| ·用H的钝化作用增加N掺杂浓度 | 第19-20页 |
| ·N离子注入掺入N源 | 第20页 |
| ·影响ZnO:N的p型稳定性原因 | 第20页 |
| ·ZnO中的本征施主缺陷的自补偿 | 第20页 |
| ·非故意掺杂施主缺陷的补偿 | 第20页 |
| ·(N_2)_O施主缺陷对p型的不利影响 | 第20页 |
| ·ZnO基材料光电器件的研究进展 | 第20-22页 |
| ·LED研究现状 | 第21-22页 |
| ·LD研究现状 | 第22页 |
| ·论文选题依据、研究内容及创新点 | 第22-24页 |
| ·选题依据和研究内容 | 第22-23页 |
| ·创新点 | 第23-24页 |
| 2 ZnO薄膜的制备技术和表征手段 | 第24-33页 |
| ·实验原理 | 第24-28页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第24-27页 |
| ·退火原理 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第28-31页 |
| ·实验设备 | 第28页 |
| ·靶材的制备 | 第28-29页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第29页 |
| ·ZnO薄膜的制备参数 | 第29-30页 |
| ·薄膜制备过程 | 第30-31页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射分析（XRD） | 第31页 |
| ·拉曼散射光谱分析（Raman） | 第31-32页 |
| ·紫外-可见（UV-Vis）光谱分析 | 第32页 |
| ·X射线光电子谱分析（XPS） | 第32页 |
| ·霍尔测试分析（Hall） | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 3 Zni对ZnO:N薄膜光电特性的影响 | 第33-40页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第33-34页 |
| ·元素化学成分分析 | 第34-37页 |
| ·光学带隙分析 | 第37-38页 |
| ·电学性质 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 C对ZnO:N薄膜光电特性的影响 | 第40-45页 |
| ·C-N共掺ZnO薄膜的结构特性 | 第40-41页 |
| ·C-N共掺ZnO薄膜的XPS分析 | 第41-42页 |
| ·C-N共掺ZnO薄膜的拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
| ·C-N共掺ZnO薄膜的电学性质分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 结论与展望 | 第45-47页 |
| ·主要结论 | 第45页 |
| ·后续工作与展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 附录 A：硕士期间发表的论文及科研情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
