氮化铝—铝复合封装基板
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·研究背景及问题的提出 | 第11-13页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·LED散热问题的影响 | 第12-13页 |
| ·LED封装 | 第13-19页 |
| ·LED封装方式 | 第13-14页 |
| ·COB封装 | 第14-19页 |
| ·基板材料 | 第15-18页 |
| ·金属基板研究现状 | 第18-19页 |
| ·论文选题目的和研究的主要内容 | 第19-21页 |
| ·论文选题目的 | 第19-20页 |
| ·研究主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 AlN薄膜的制备与测试 | 第21-29页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| ·磁控溅射 | 第21-22页 |
| ·反应溅射 | 第22-23页 |
| ·AlN的制备 | 第23-25页 |
| ·实验仪器 | 第23页 |
| ·基底的预处理 | 第23-24页 |
| ·实验操作 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-25页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第25-28页 |
| ·薄膜结构测试 | 第25-26页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第26-27页 |
| ·薄膜电学性能测试 | 第27页 |
| ·薄膜结合力测试 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 AlN薄膜性能及变化规律的研究 | 第29-35页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第29页 |
| ·溅射参数对薄膜沉积速率的影响 | 第29-31页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第29-30页 |
| ·溅射气压对沉积速率的影响 | 第30-31页 |
| ·N_2/Ar气压比对沉积速率的影响 | 第31页 |
| ·溅射参数对薄膜抗电强度的影响 | 第31-34页 |
| ·溅射功率对抗电强度的影响 | 第32页 |
| ·溅射气压对抗电强度的影响 | 第32-33页 |
| ·N_2/Ar气压比对抗电强度的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 铝基氮化铝封装基板的制备 | 第35-46页 |
| ·铝基板表面处理技术 | 第35-44页 |
| ·阳极氧化原理 | 第36页 |
| ·阳极氧化分类 | 第36-37页 |
| ·阳极氧化膜结构 | 第37-38页 |
| ·阳极氧化膜的特性 | 第38-39页 |
| ·阳极氧化的实验工序 | 第39-43页 |
| ·阳极氧化膜性能分析 | 第43-44页 |
| ·铝基氮化铝基板的制备方案 | 第44页 |
| ·基板性能的研究 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
