| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 一、引言 | 第9-10页 |
| 二、磁性半导体 | 第10-13页 |
| （一）磁性半导体的特征 | 第10-11页 |
| （二）磁性半导体的研究现状 | 第11-12页 |
| （三）磁性半导体的潜在应用 | 第12-13页 |
| 三、半金属磁性材料 | 第13-15页 |
| （一）半金属磁性材料的特征 | 第13-14页 |
| （二）半金属磁性材料的研究现状 | 第14-15页 |
| （三）半金属磁性材料的潜在应用 | 第15页 |
| 四、选题意义和研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 第一性原理计算理论基础 | 第17-26页 |
| 一、 第一性原理计算 | 第17页 |
| 二、 密度泛函理论 | 第17-23页 |
| （一）绝热近似 | 第18-19页 |
| （二）Hartree‐Fock 近似 | 第19-20页 |
| （三）Hohenberg-Kohn 方程 | 第20-21页 |
| （四） Kohn-Sham 方程 | 第21-22页 |
| （五）局域密度近似（LDA） | 第22页 |
| （六）广义梯度近似（GGA） | 第22-23页 |
| 三、 计算软件介绍 | 第23-26页 |
| （一）Materials Studio 简介 | 第23-24页 |
| （二）CASTEP 简介 | 第24-26页 |
| 第三章 NiAs 型 Mn_(1‐x)Cr_xTe 和 Mn_(1‐x)□_xTe | 第26-47页 |
| 一、MnTe 单胞 | 第27-30页 |
| 二、MnTe 掺杂 | 第30-42页 |
| （一）MnTe1×1×5 超胞 | 第30-33页 |
| （二）Mn_(0.9 )Cr0_(.1)Te | 第33-36页 |
| （三）Mn_(0.8 )Cr_(0.2)Te | 第36-39页 |
| （四）Mn_(0.7 )Cr_(0.3)Te | 第39-42页 |
| 四、空位 | 第42-45页 |
| 五、小结 | 第45-47页 |
| （一）NiAs 型 Mn_(1‐x)Cr_xTe 化合物的性质 | 第45-46页 |
| （二）NiAs 型 Mn1‐x□xTe 化合物的性质 | 第46-47页 |
| 第四章 ZB 型 Mn_(1‐x)Cr_xTe 和 Mn1‐x□xTe | 第47-61页 |
| 一、ZB 型 MnTe 超胞 | 第47-52页 |
| 二、Mn_(1‐x)Cr_xTe 掺杂 | 第52-57页 |
| （一）ZB 型 Mn_(0.875)Cr_(0.125)Te | 第52-55页 |
| （二）ZB 型 Mn_(0.75)Cr_(0.25)Te | 第55-57页 |
| 三、空位 Mn1‐x□xTe | 第57-59页 |
| 四、小结 | 第59-61页 |
| （一）ZB 型 Mn_(1‐x)Cr_xTe 化合物的特性 | 第59-60页 |
| （二）ZB 型 Mn_(0.875)□_(0.125)Te 化合物的特性 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 个人简介及主要成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
