高频InP基耿氏二极管的工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·课题背景 | 第6-7页 |
| ·在国际上太赫兹发展现状以及国内的现状和趋势 | 第7-9页 |
| ·国内太赫兹术发展现状及趋势 | 第9-12页 |
| ·课题研究的目的与意义 | 第12页 |
| ·本论文的选题结构 | 第12-14页 |
| 第二章 耿氏二极管的研究机理 | 第14-24页 |
| ·耿氏器件的研究背景 | 第14页 |
| ·耿氏效应的理论 | 第14-17页 |
| ·耿氏二极管的机理分析 | 第17-20页 |
| ·耿氏器件的载流子的输运和频率特性 | 第20-21页 |
| ·耿氏器件的物理结构与理论特性 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 耿氏二极管的工艺研究 | 第24-32页 |
| ·磷化铟材料的制备 | 第24-25页 |
| ·器件的制作技术 | 第25页 |
| ·主要的工艺步骤 | 第25-27页 |
| ·材料的结构设计 | 第27-28页 |
| ·实验流程 | 第28-32页 |
| 第四章 耿氏二极管的在片测试结构和测试结果 | 第32-36页 |
| ·测试结构的图形 | 第32-33页 |
| ·对实验结果进行分析和总结 | 第33-36页 |
| 第五章 总结与展望 | 第36-38页 |
| ·总结 | 第36-37页 |
| ·展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 致谢 | 第42-44页 |
| 个人简介 | 第44页 |