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高频InP基耿氏二极管的工艺研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
第一章 绪论第6-14页
   ·课题背景第6-7页
   ·在国际上太赫兹发展现状以及国内的现状和趋势第7-9页
   ·国内太赫兹术发展现状及趋势第9-12页
   ·课题研究的目的与意义第12页
   ·本论文的选题结构第12-14页
第二章 耿氏二极管的研究机理第14-24页
   ·耿氏器件的研究背景第14页
   ·耿氏效应的理论第14-17页
   ·耿氏二极管的机理分析第17-20页
   ·耿氏器件的载流子的输运和频率特性第20-21页
   ·耿氏器件的物理结构与理论特性第21-22页
   ·本章小结第22-24页
第三章 耿氏二极管的工艺研究第24-32页
   ·磷化铟材料的制备第24-25页
   ·器件的制作技术第25页
   ·主要的工艺步骤第25-27页
   ·材料的结构设计第27-28页
   ·实验流程第28-32页
第四章 耿氏二极管的在片测试结构和测试结果第32-36页
   ·测试结构的图形第32-33页
   ·对实验结果进行分析和总结第33-36页
第五章 总结与展望第36-38页
   ·总结第36-37页
   ·展望第37-38页
参考文献第38-42页
致谢第42-44页
个人简介第44页

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