| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·ZnO基紫外光电探测器发展现状 | 第7-14页 |
| ·半导体光电探测器 | 第14-20页 |
| ·论文选题依据和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 ZnO基紫外光电探测器的制备和表征方法 | 第22-32页 |
| ·ZnO基薄膜的制备技术 | 第22-24页 |
| ·ZnO基紫外探测器的制备工艺 | 第24-26页 |
| ·ZnO基薄膜和紫外探测器的表征方法 | 第26-32页 |
| 第三章 ZnO薄膜及其紫外光电探测器的制备和性能的研究 | 第32-43页 |
| ·ZnO薄膜和其紫外光电探测器的制备 | 第32-33页 |
| ·ZnO薄膜性质的研究 | 第33-38页 |
| ·ZnO紫外光电探测器的研究 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 ZnMgO紫外光电探测器的制备和性能的研究 | 第43-56页 |
| ·不同组分ZnMgO薄膜制备和性能的研究 | 第43-47页 |
| ·ZnMgO紫外光电探测器表面改性的研究 | 第47-52页 |
| ·日盲ZnMgO紫外光电探测器的性能研究 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |