| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 低介电材料的分类及其进展研究 | 第9-23页 |
| 1．本体低介电材料 | 第10-15页 |
| ·芳基聚合物材料 | 第11-13页 |
| ·倍半硅氧烷类杂化材料 | 第13-15页 |
| 2．掺杂二氧化硅 | 第15-16页 |
| ·掺氟二氧化硅（SiOF） | 第15页 |
| ·掺碳二氧化硅 (SiOC) | 第15-16页 |
| 3. 纳米多孔低介电材料 | 第16-19页 |
| ·纳米孔洞聚酰亚胺 | 第17页 |
| ·纳米孔洞 SiLK | 第17-18页 |
| ·纳米孔洞聚氧硅烷（NPS） | 第18-19页 |
| 4. 本章小结 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 溶剂热法合成吡啶嗡盐异构体及其堆积方式对介电性质的影响 | 第23-40页 |
| 1 引言 | 第23页 |
| 2 实验部分 | 第23-26页 |
| ·仪器和试剂 | 第23-24页 |
| ·化合物 v-C_(12)H_(14)I_2N_2(1)的合成 | 第24页 |
| ·化合物 p-C_(12)H_(14)I_2N_2(2)的合成 | 第24-25页 |
| ·晶体结构解析 | 第25-26页 |
| 3 结果与讨论 | 第26-38页 |
| ·合成讨论 | 第26页 |
| ·光谱分析 | 第26页 |
| ·晶体结构 | 第26-31页 |
| ·热稳定分析 | 第31-33页 |
| ·化合物 1 和 2 的固体紫外漫反射光谱研究 | 第33-34页 |
| ·化合物 1 和 2 的电学性质研究 | 第34-38页 |
| 4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 溶剂热原位合成其他吡啶嗡盐化合物及产物的结构研究 | 第40-55页 |
| 1 引言 | 第40页 |
| 2 实验部分 | 第40-44页 |
| ·试剂和仪器 | 第40-41页 |
| ·化合物 C_(14)H_(18)N_2I_2(EV 2I) (3)和 C_(14)H_(18)N_2I_4(EV I I3) (4)的合成 | 第41页 |
| ·化合物 C_(16)H_(22)N_2I_6(PV 2I3) (5)的合成 | 第41-42页 |
| ·化合物 C_(22)H_(36)N_4I_2(6)的合成 | 第42页 |
| ·晶体结构解析 | 第42-44页 |
| 3 结果讨论 | 第44-53页 |
| ·合成讨论 | 第44-45页 |
| ·光谱分析 | 第45页 |
| ·化合物 C_(14)H_(18)N_2I_2(3)的晶体结构 | 第45-47页 |
| ·化合物 C_(14)H_(18)N_2I_4(4)的晶体结构 | 第47-49页 |
| ·化合物 C_(16)H_(22)N_2I_6(5)的晶体结构 | 第49-51页 |
| ·化合物 C_(22)H_(36)N_4I_2(6)的晶体结构 | 第51-53页 |
| 4 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 全文总结 | 第55-57页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
