CdS薄膜的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-24页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池简介 | 第12-17页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池的结构 | 第12-14页 |
| ·基底 | 第13页 |
| ·背电极 | 第13页 |
| ·光吸收层 | 第13页 |
| ·缓冲层 | 第13页 |
| ·窗口层 | 第13-14页 |
| ·顶电极 | 第14页 |
| ·减反射层 | 第14页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池的工作原理 | 第14-15页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池的评价参数 | 第15-16页 |
| ·铜铟镓硒太阳能电池的研究进展 | 第16-17页 |
| ·硫化镉薄膜在铜铟镓硒太阳能电池中的应用 | 第17-19页 |
| ·硫化镉缓冲层的作用 | 第17页 |
| ·硫化镉缓冲层的性能 | 第17-18页 |
| ·硫化镉缓冲层的制备方法及研究进展 | 第18-19页 |
| ·化学热解法 | 第18页 |
| ·电沉积法 | 第18页 |
| ·真空蒸发法 | 第18-19页 |
| ·化学沉积法 | 第19页 |
| ·化学水浴法制备硫化镉薄膜 | 第19-22页 |
| ·制备原理 | 第19-20页 |
| ·影响因素 | 第20-21页 |
| ·溶液浓度 | 第20页 |
| ·pH值 | 第20页 |
| ·热处理温度 | 第20-21页 |
| ·沉积时间 | 第21页 |
| ·工艺特点 | 第21页 |
| ·国内外研究进展 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射法制备硫化镉缓冲层 | 第22页 |
| ·磁控溅射法制备硫化镉薄膜的特点 | 第22页 |
| ·国内外研究进展 | 第22页 |
| ·课题的研究意义和创新之处 | 第22-24页 |
| 第三章 实验部分 | 第24-29页 |
| ·实验药品及仪器设备 | 第24-25页 |
| ·导电玻璃基底的清洗 | 第25页 |
| ·硫化镉薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射法 | 第25-26页 |
| ·化学水浴法 | 第26-27页 |
| ·分析测试方法 | 第27-29页 |
| ·物相结构分析 | 第27-28页 |
| ·微观形貌分析 | 第28页 |
| ·电池光电性能测试 | 第28-29页 |
| ·电阻测试 | 第28页 |
| ·UV-VIS | 第28-29页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第29-54页 |
| ·化学水浴法制备CdS薄膜 | 第29-45页 |
| ·沉积时间的影响 | 第29-34页 |
| ·CdS薄膜的物相分析 | 第29-30页 |
| ·CdS薄膜的表面形貌分析 | 第30-31页 |
| ·CdS薄膜的电阻分析 | 第31-32页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第32-33页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第33-34页 |
| ·沉积温度的影响 | 第34-39页 |
| ·CdS薄膜的物相分析 | 第34-35页 |
| ·CdS薄膜的表面形貌分析 | 第35-36页 |
| ·CdS薄膜的电阻分析 | 第36-37页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第37-38页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第38-39页 |
| ·转速的影响 | 第39-42页 |
| ·CdS薄膜的物相分析 | 第39-40页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第40-41页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第41-42页 |
| ·CdS薄膜的电阻分析 | 第42页 |
| ·溶液浓度的影响 | 第42-45页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第43页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第43-44页 |
| ·CdS薄膜的电阻分析 | 第44-45页 |
| ·磁控溅射法制备CdS薄膜 | 第45-51页 |
| ·溅射时间的影响 | 第45-48页 |
| ·CdS薄膜的物相分析 | 第45-46页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第46-47页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第47-48页 |
| ·工作气压的影响 | 第48-51页 |
| ·CdS薄膜的物相分析 | 第48-49页 |
| ·CdS薄膜的光透过率分析 | 第49-50页 |
| ·CdS薄膜的光学带隙分析 | 第50-51页 |
| ·两种制备方法的对比 | 第51-54页 |
| ·CdS薄膜的物相对比 | 第51-52页 |
| ·CdS薄膜的光透过率对比 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59页 |