| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·论文研宄的背景及意义 | 第10-11页 |
| ·运算放大器的发展历史 | 第11-12页 |
| ·国内外研宄现状 | 第12-13页 |
| ·运算放大器的发展趋势 | 第13-15页 |
| ·运算放大器基本结构和特点 | 第15-17页 |
| ·运算放大器结构 | 第15-16页 |
| ·理想运放 | 第16-17页 |
| ·运算放大器的设计流程 | 第17-18页 |
| ·论文主要研宄内容及结构安排 | 第18-20页 |
| 2 CMOS器件的模型构建 | 第20-31页 |
| ·MOS管的结构 | 第20-21页 |
| ·MOS管的物理结构 | 第20-21页 |
| ·MOS管的电路符号 | 第21页 |
| ·MOS管的大信号模型 | 第21-24页 |
| ·工作在线性区的NMOS器件的电压-电流特性 | 第22-23页 |
| ·工作在饱和区的NMOS器件的电压-电流特性 | 第23-24页 |
| ·MOS管的二级效应 | 第24-26页 |
| ·体效应(body effect) | 第24-25页 |
| ·沟道长度调制效应(channel-length modulation) | 第25页 |
| ·亚阈值导电性(sub-threshold operation) | 第25-26页 |
| ·MOS管的小信号模型 | 第26-28页 |
| ·MOS管的寄生电容 | 第28-31页 |
| ·多晶硅栅和导电沟道之间的氧化层电容CGC | 第28页 |
| ·导电沟道和衬底之间的耗尽层电容CCB | 第28页 |
| ·多晶硅栅分别与源区和漏区之间的交叠电容CGSO和CGDO | 第28-29页 |
| ·源区和漏区分别与衬底之间的耗尽层电容CSB和CDB | 第29-30页 |
| ·CMOS器件的寄生电容分布状况图 | 第30-31页 |
| 3 低压低功耗CMOS运算放大器设计 | 第31-71页 |
| ·低压模拟电路的设计技术 | 第31-40页 |
| ·工作在弱反型区的CMOS电路 | 第31-32页 |
| ·工作在体驱动的CMOS电路 | 第32-33页 |
| ·工作在电平位移的CMOS电路 | 第33-34页 |
| ·自举共源共栅的CMOS电路 | 第34-35页 |
| ·准浮栅技术的CMOS电路 | 第35-38页 |
| ·电流模式的CMOS电路 | 第38-40页 |
| ·输入级电路的设计 | 第40-48页 |
| ·基本差分输入级结构 | 第40-42页 |
| ·传统的Rail-to-Rail输入级结构 | 第42-44页 |
| ·3倍电流镜技术 | 第44-45页 |
| ·电子Zener 二极管技术 | 第45-47页 |
| ·本文设计的输入级电路 | 第47-48页 |
| ·中间放大级电路的设计 | 第48-55页 |
| ·套筒式(Telescopic)共源共栅结构 | 第48-50页 |
| ·折叠式(folded)共源共栅结构 | 第50-52页 |
| ·增益提高型(Gain Boosting)结构 | 第52-53页 |
| ·电流镜型结构 | 第53-54页 |
| ·本文中间放大级的选择 | 第54-55页 |
| ·运方文输出级的设计 | 第55-62页 |
| ·甲类源极跟随器输出级 | 第55-57页 |
| ·乙类推挽输出级 | 第57-58页 |
| ·甲乙类输出级 | 第58-61页 |
| ·本文输出级设计 | 第61-62页 |
| ·补偿电路的设计 | 第62-65页 |
| ·极点分离法 | 第63-64页 |
| ·零点补偿法 | 第64页 |
| ·本文补偿实现方法 | 第64-65页 |
| ·偏置电路的设计 | 第65-71页 |
| ·经典的带隙基准电流源 | 第65-66页 |
| ·PTAT基准电流源 | 第66-67页 |
| ·本文设计的基准电流源 | 第67-71页 |
| 4 低压低功耗满摆幅CMOS运放的电路目标设计与仿真 | 第71-83页 |
| ·建立运放设计胃标 | 第72页 |
| ·直流特性 | 第72-75页 |
| ·直流分析(DC) | 第72-73页 |
| ·输入/输出跟随特性 | 第73-74页 |
| ·输出电压摆幅的仿真 | 第74-75页 |
| ·交流小信号特性 | 第75-79页 |
| ·幅频特性与相位裕度的仿真 | 第75-76页 |
| ·共模抑制比(CMRR)的仿真 | 第76-78页 |
| ·电源抑制比(PSRR)的仿真 | 第78-79页 |
| ·瞬态特性 | 第79-82页 |
| ·摆率 SR(slewing rate)仿真 | 第79-80页 |
| ·建立时间 ST(setting time)仿真 | 第80-81页 |
| ·运放功耗的仿真 | 第81-82页 |
| ·运算放大器的仿真结果总汇 | 第82-83页 |
| 结论 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 附录A 整个运放电路HSpice网表文件 | 第89-93页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第93页 |
