| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-15页 |
| ·纳米薄膜太阳电池的研究进展 | 第10-12页 |
| ·氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的结构特征和光学特性 | 第12-14页 |
| ·本课题的研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 nc-Si:H 薄膜的制备与表征方法 | 第15-21页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的制备 | 第15-16页 |
| ·实验设备 | 第15页 |
| ·基片清洗 | 第15-16页 |
| ·制备 nc-Si:H 薄膜 | 第16页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的表征方法 | 第16-21页 |
| ·alpha-step200 台阶仪测试 | 第16-17页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第17页 |
| ·XRD 测试 | 第17页 |
| ·Raman 光谱仪测试 | 第17-18页 |
| ·FTIR 测试 | 第18页 |
| ·紫外可见光近红外分光光度计(UV-VIS-NIR Spectroscopy)测试 | 第18-19页 |
| ·光暗电导率测试 | 第19-21页 |
| 第3章 工艺参数对 nc-Si:H 薄膜生长速率的影响 | 第21-24页 |
| ·H_2稀释比 | 第21-22页 |
| ·射频功率 | 第22页 |
| ·衬底温度 | 第22-24页 |
| 第4章 工艺参数对 nc-Si:H 薄膜微结构的影响 | 第24-38页 |
| ·H_2稀释比 | 第24-30页 |
| ·射频功率 | 第30-34页 |
| ·衬底温度 | 第34-38页 |
| 第5章 工艺参数对 nc-Si:H 薄膜光学特性的影响 | 第38-48页 |
| ·H_2稀释比 | 第38-42页 |
| ·射频功率 | 第42-46页 |
| ·衬底温度 | 第46-48页 |
| 第6章 工艺参数对 nc-Si:H 薄膜的电学特性的影响 | 第48-51页 |
| ·衬底温度 | 第48-49页 |
| ·H_2稀释比 | 第49-50页 |
| ·射频功率 | 第50-51页 |
| 第7章 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第58页 |
