| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·前言 | 第10页 |
| ·纳米薄膜的制备方法 | 第10-15页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第11页 |
| ·直流磁控溅射法 | 第11-12页 |
| ·化学气相沉积 | 第12页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第12-13页 |
| ·电化学沉积 | 第13-15页 |
| ·半导体纳米材料的表征和光谱分析 | 第15-21页 |
| ·无机有机纳米复合材料 | 第21-22页 |
| ·聚酰亚胺用于燃料电池 | 第22页 |
| ·本论文的选题思路与研究目的 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 利用电化学原子层沉积(EC-ALD)技术在PI/COOH-CNTs薄膜上制备纳米半导体CuSe及其光电性质研究 | 第29-43页 |
| ·前言 | 第29-30页 |
| ·实验部分 | 第30-31页 |
| ·实验中所用试剂 | 第30页 |
| ·仪器和表征方法 | 第30页 |
| ·EC-ALD法制备CuSe薄膜所需溶液配制 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-38页 |
| ·循环伏安法结果 | 第31-33页 |
| ·Cu原子层和Se原子层的形成 | 第33页 |
| ·CuSe沉积物的溶出伏安图(DPSV) | 第33-35页 |
| ·Cu原子和Se原子的成核机理 | 第35-36页 |
| ·CuSe薄膜的表征 | 第36-38页 |
| ·光电性质研究 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 利用EC-ALD和共沉积技术在PI/COOH-CNTs复合薄膜上制备In_2T_3及其光电性质研究 | 第43-56页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-51页 |
| ·薄膜的沉积制备 | 第45-47页 |
| ·In_2Te_3薄膜的表征 | 第47-49页 |
| ·光电化学检测 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 PI/COOH-CNTs和PI/GE复合导电基底上Pd纳米颗粒的制备及其催化性能研究 | 第56-69页 |
| ·前言 | 第56-57页 |
| ·实验部分 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·Pd在PI/COOH-CNTs和PI/GE电极上的循环伏安行为 | 第58-59页 |
| ·Pd在PI/COOH-CNTs和PI/GE电极上的电沉积 | 第59-60页 |
| ·PI/COOH-CNTs和PUGE电极上电沉积的Pd在H_2SO_4中的电化学行为 | 第60-61页 |
| ·电沉积的Pd的XRD结构表征和SEM形貌表征结果 | 第61-63页 |
| ·电沉积的Pd对甲酸的催化研究 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
