| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| ·正电子的发现和正电子湮没技术发展史 | 第13-15页 |
| ·正电子湮没谱学实验原理 | 第15-22页 |
| ·正电子源 | 第15页 |
| ·正电子的热化和注入深度分布 | 第15-18页 |
| ·正电子在固体中的湮没过程 | 第18-19页 |
| ·正电子捕获模型 | 第19-20页 |
| ·常用的正电子湮没表征参数 | 第20-22页 |
| ·正电子湮没探测技术 | 第22-27页 |
| ·正电子湮没寿命谱测量技术 | 第22-23页 |
| ·正电子多普勒展宽谱测量技术 | 第23-25页 |
| ·慢正电子束测量技术 | 第25-26页 |
| ·脉冲慢正电子束寿命谱 | 第26-27页 |
| ·正电子谱学方法在功能材料微观结构研究中的应用 | 第27-30页 |
| ·微观结构缺陷对功能材料性能的影响 | 第28-29页 |
| ·正电子湮没技术对功能材料中缺陷的表征 | 第29-30页 |
| ·本论文工作简介与创新点 | 第30-32页 |
| ·本论文研究工作的意义及主要内容 | 第30-31页 |
| ·本论文的创新之处和特色 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第2章 非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的正电子湮没谱学研究 | 第35-63页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷功能材料概述 | 第35-40页 |
| ·非铁电压电功能材料的研究现状 | 第35-37页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷功能材料的研究现状及应用前景 | 第37-39页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的研究现状 | 第39-40页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的制备 | 第40-41页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的结构分析 | 第41-44页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的正电子寿命测量 | 第44-49页 |
| ·不同烧结温度ST-BT陶瓷样品寿命谱分析 | 第44-47页 |
| ·不同烧结时间ST-BT陶瓷样品寿命谱分析 | 第47-49页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的符合多普勒展宽测量 | 第49-53页 |
| ·不同烧结温度ST-BT陶瓷样品符合多普勒展宽测量 | 第49-51页 |
| ·不同烧结时间ST-BT陶瓷样品符合多普勒展宽测量 | 第51-53页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的介电性能 | 第53-55页 |
| ·不同烧结温度ST-BT陶瓷样品的介电性能分析 | 第53-54页 |
| ·不同烧结时间ST-BT陶瓷样品的介电性能分析 | 第54-55页 |
| ·非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)的压电性能 | 第55-57页 |
| ·不同烧结温度ST-BT陶瓷样品的压电性能分析 | 第55-56页 |
| ·不同烧结时间ST-BT陶瓷样品的压电性能分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第3章 Fe掺杂光催化二氧化钛功能材料缺陷机理的正电子研究 | 第63-85页 |
| ·半导体光催化二氧化钛功能材料概述 | 第63-69页 |
| ·半导体光催化二氧化钛的发展及其光催化原理 | 第63-66页 |
| ·光催化二氧化钛过渡金属掺杂改性的研究进展 | 第66-67页 |
| ·光催化二氧化钛的晶格结构及正电子研究进展 | 第67-69页 |
| ·Fe掺杂二氧化钛薄膜的制备 | 第69-70页 |
| ·Fe掺杂二氧化钛薄膜的结构表征 | 第70-72页 |
| ·Fe掺杂二氧化钛薄膜的紫外可见波段吸收光谱实验 | 第72-74页 |
| ·Fe掺杂二氧化钛薄膜的光催化降解实验 | 第74-75页 |
| ·Fe掺杂光催化二氧化钛薄膜的慢正电子束研究 | 第75-78页 |
| ·Fe-TiO_2薄膜的微观结构缺陷对和光催化活性的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 第4章 正电子对铜铟锡太阳能电池薄膜的缺陷研究 | 第85-103页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜功能材料概述 | 第85-90页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜功能材料的发展背景 | 第86-87页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜的结构性质及性能 | 第87-89页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜的正电子研究进展 | 第89-90页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜的典型结构和制备 | 第90-93页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜的脉冲慢正电子束寿命测量 | 第93-94页 |
| ·铜铟锡太阳能电池薄膜的慢正电子束分析 | 第94-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第5章 钛酸钡陶瓷的正电子湮没谱学研究 | 第103-127页 |
| ·钛酸钡陶瓷介电材料概述 | 第103-110页 |
| ·钛酸钡陶瓷的晶体结构 | 第103-104页 |
| ·钛酸钡陶瓷的制备方法 | 第104-107页 |
| ·掺杂钛酸钡陶瓷的研究进展 | 第107-108页 |
| ·碳酸钡陶瓷的正电子研究进展 | 第108-110页 |
| ·不同烧结过程钛酸钡陶瓷的微观缺陷和宏观介电性能 | 第110-117页 |
| ·不同烧结过程下钛酸钡陶瓷的制备 | 第111-112页 |
| ·不同烧结过程钛酸钡陶瓷的XRD分析 | 第112-113页 |
| ·不同烧结过程钛酸钡陶瓷的正电子湮没寿命谱测量及分析 | 第113-115页 |
| ·不同烧结过程钛酸钡陶瓷的介电性能测量及分析 | 第115-117页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的微观缺陷和宏观介电性能 | 第117-121页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的制备 | 第117-118页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的XRD分析 | 第118页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的正电子湮没寿命谱测量及分析 | 第118-119页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的符合多普勒展宽谱实验 | 第119-120页 |
| ·Sn掺杂钛酸钡陶瓷的介电性能测量及分析 | 第120-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第六章 总结语 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第131-132页 |
