Si、Ge、SOI中SiGe纳米晶的生长及其特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-26页 |
| ·硅锗材料 | 第13-18页 |
| ·硅锗的基本性质 | 第13-15页 |
| ·硅锗的能带结构 | 第15-18页 |
| ·硅锗纳米材料的特性与应用 | 第18-22页 |
| ·硅锗纳米材料的特性 | 第18-19页 |
| ·硅锗纳米材料的应用 | 第19-22页 |
| ·硅锗纳米材料制备技术与生长机理 | 第22-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 2 硅锗纳米晶的离子注入生长及表征技术 | 第26-38页 |
| ·硅锗纳米晶的离子注入生长技术 | 第26-32页 |
| ·离子注入技术 | 第26-30页 |
| ·注入损伤 | 第30-31页 |
| ·退火 | 第31-32页 |
| ·硅锗纳米晶的表征 | 第32-38页 |
| ·卢瑟福背散射衍射 | 第32-33页 |
| ·拉曼光谱 | 第33-34页 |
| ·电子显微镜 | 第34页 |
| ·原子力显微镜 | 第34-35页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第35页 |
| ·光致发光谱 | 第35-38页 |
| 3 硅中硅锗纳米晶的生长演变及其微观结构 | 第38-66页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·两步离子注入过程控制 | 第38-41页 |
| ·SRIM模拟 | 第39页 |
| ·两步注锗硅片的微观结构特征 | 第39-41页 |
| ·两步注锗硅片中的锗分布 | 第41页 |
| ·退火过程中微观结构演变 | 第41-54页 |
| ·炉退火过程中硅锗纳米晶的生长演变 | 第43-47页 |
| ·炉退火过程中衍生的微观缺陷特征 | 第47-49页 |
| ·快速热退火过程中硅锗纳米晶的生长演变 | 第49-52页 |
| ·快速热退火过程中衍生的微观缺陷特征 | 第52-54页 |
| ·硅锗纳米晶的生长与锗的再分布的关系 | 第54-64页 |
| ·硅锗纳米晶中锗的组分比 | 第54-56页 |
| ·退火时间对锗再分布的影响 | 第56-63页 |
| ·退火方式对锗再分布的影响 | 第63-64页 |
| ·退火方式对衍生缺陷的影响 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 4 锗中硅锗纳米晶生上长演变及其微观结构特征 | 第66-76页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·离子注入过程设计 | 第66-68页 |
| ·SRIM模拟 | 第67页 |
| ·注硅锗片的微观结构特征 | 第67-68页 |
| ·注入后锗片中的硅分布 | 第68页 |
| ·后续退火过程的控制 | 第68-71页 |
| ·快速热退火过程中的非晶-晶体转变 | 第68-69页 |
| ·快速热退火条件对硅锗纳米晶生长的影响 | 第69-71页 |
| ·硅锗纳米晶的生长与退火后硅再分布的关系 | 第71-73页 |
| ·纳米晶生长与硅再分布 | 第71-72页 |
| ·注入方式对纳米晶生长的影响 | 第72-73页 |
| ·再结晶层中的微观缺陷 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 5 SOI中硅锗纳米晶的生长演变及其微观结构特征 | 第76-100页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·注锗后SOI中的锗分布特征 | 第76-80页 |
| ·离子注入过程 | 第76-77页 |
| ·一步注锗后SOI中的锗分布 | 第77-78页 |
| ·两步注锗后SOI中的锗分布 | 第78-80页 |
| ·BOX中硅锗纳米晶的生长演变 | 第80-85页 |
| ·快速热退火后BOX层的微观结构特征 | 第80-82页 |
| ·快速热退火后顶硅层的微观结构特征 | 第82-83页 |
| ·快速热退火时锗再分布对纳米晶形成的影响 | 第83-85页 |
| ·SOI近表面硅锗纳米晶的生长演变 | 第85-99页 |
| ·两步注锗SOI退火后的锗分布 | 第85-86页 |
| ·两步注锗SOI退火中表面形貌的演变 | 第86-89页 |
| ·快速热退火后SOI表面的“环结构” | 第89-94页 |
| ·快速热退火后SOI截面的微观形貌特征 | 第94-97页 |
| ·近表面微观结构形成的动力学过程 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 6 生长硅锗纳米晶后衬底的应变特性 | 第100-107页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·生长硅锗纳米晶后硅衬底的应变特征 | 第100-102页 |
| ·生长硅锗纳米晶后锗衬底的应变特征 | 第102-103页 |
| ·生长硅锗纳米晶后SOI的应变特征 | 第103-105页 |
| ·SOI近表面生长硅锗纳米晶后的应变特征 | 第103-104页 |
| ·BOX层中生长硅锗纳米晶后的应变特征 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 7 硅锗纳米晶的光学特性研究 | 第107-114页 |
| ·引言 | 第107页 |
| ·硅中硅锗纳米晶的光致发光 | 第107-108页 |
| ·锗中硅锗纳米晶的光致发光 | 第108-109页 |
| ·SOI中硅锗纳米晶的光致发光 | 第109-111页 |
| ·衬底对光致发光的影响 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-125页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 作者简介 | 第128页 |
