| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·发光的定义 | 第11页 |
| ·发光材料的组成 | 第11-12页 |
| ·发光材料的分类 | 第12页 |
| ·稀土发光材料的发光原理及特性 | 第12-15页 |
| ·稀土离子的 f-f 电子跃迁 | 第12-13页 |
| ·稀土离子的 f-d 电子跃迁 | 第13-14页 |
| ·稀土离子的电荷迁移带 | 第14页 |
| ·稀土离子的超灵敏跃迁 | 第14-15页 |
| ·发光薄膜的制备及图案化 | 第15-23页 |
| ·稀土薄膜发光材料的研究意义 | 第15页 |
| ·稀土发光薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·发光薄膜的图案化 | 第19页 |
| ·发光薄膜图案化的软石印方法 | 第19-23页 |
| ·微加工过程中的去润湿行为 | 第23-25页 |
| ·聚合物薄膜的去润湿现象 | 第23页 |
| ·影响聚合物薄膜去润湿行为的因素 | 第23-25页 |
| ·图案化薄膜的去润湿行为 | 第25页 |
| ·课题设计 | 第25-27页 |
| 第2章 实验部分 | 第27-31页 |
| ·主要试剂 | 第27页 |
| ·稀土薄膜的制备及其图案化 | 第27-29页 |
| ·Pechini 溶胶-凝胶法制备前驱体溶液 | 第27-28页 |
| ·PDMS 模板的制备 | 第28页 |
| ·基底的洗涤 | 第28页 |
| ·薄膜图案化-微接触打印 | 第28-29页 |
| ·样品的烧结 | 第29页 |
| ·实验及分析测试所用仪器 | 第29-31页 |
| ·X-射线粉末衍射（XRD） | 第29页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第29页 |
| ·X-射线能量散射谱 (EDS) | 第29页 |
| ·光学显微镜 | 第29页 |
| ·UV 激发倒置显微镜 | 第29页 |
| ·光致激发和发射光谱 | 第29页 |
| ·阴极射线发光光谱 | 第29-30页 |
| ·紫外—可见透过光谱 | 第30页 |
| ·量子效率及色坐标 | 第30页 |
| ·匀胶机 | 第30-31页 |
| 第3章 GdVO_4体系薄膜的制备及其发光性质 | 第31-43页 |
| ·前言 | 第31-32页 |
| ·图案化薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·GdVO_4:Ln (Ln = Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+))溶胶前驱体溶液的制备 | 第32页 |
| ·微接触打印法制备 GdVO_4:Ln (Ln = Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+))发光薄膜 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-42页 |
| ·结构和形貌分析 | 第33-35页 |
| ·形成机理 | 第35-37页 |
| ·GdVO_4:Ln (Ln = Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+))的紫外—可见透过光谱 | 第37-38页 |
| ·GdVO_4:Ln (Ln = Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+))的光致发光性质 | 第38-40页 |
| ·GdVO_4:Ln 低压阴极射线发光性质 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 Gd_2(WO_4)_3体系薄膜的制备及其发光性质 | 第43-52页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·实验 | 第44页 |
| ·实验结果和讨论 | 第44-51页 |
| ·结构分析 | 第44-45页 |
| ·形貌和光学图像 | 第45-47页 |
| ·Gd_2(WO_4)_3:Ln (Ln = Eu~(3+), Tb~(3+))的紫外-可见透过光谱 | 第47页 |
| ·Gd_2(WO_4)_3:Ln (Ln = Eu~(3+), Tb~(3+))的光致发光性质 | 第47-50页 |
| ·Gd_2(WO_4)_3:Ln (Ln = Eu~(3+), Tb~(3+))的低压阴极射线发光性质 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
