| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·半金属 | 第13-17页 |
| ·半金属的主要特征 | 第13-15页 |
| ·半金属氧化物Sr_2FeMoO_6 | 第15-17页 |
| ·半金属氧化物Sr_2FeMoO_6的LFMR的研究现状 | 第17页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第17-20页 |
| ·研究内容 | 第18页 |
| ·研究意义 | 第18-20页 |
| 第2章 样品制备 | 第20-23页 |
| ·固相反应法 | 第20-21页 |
| ·多晶SFMO的制备 | 第21-22页 |
| ·原料 | 第21页 |
| ·样品的化学配比 | 第21页 |
| ·样品的制备过程 | 第21-22页 |
| ·Sr_2FeMoO_6/glass复合材料的制备 | 第22页 |
| ·配料 | 第22页 |
| ·样品的制备过程 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 SFMO玻璃复合体系的电磁输运性质 | 第23-36页 |
| ·样品的结构测试与分析 | 第23-25页 |
| ·SFMO/glass复合样品的XRD谱图 | 第23-25页 |
| ·SFMO/glass复合样品的电磁输运性质的研究 | 第25-29页 |
| ·样品的电输运性质的研究 | 第25-28页 |
| ·样品磁学性质的研究 | 第28-29页 |
| ·Sr_2FeMoO_6/ glass复合样品的低场磁电阻的来源 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 样品磁电阻温度依赖性的研究 | 第36-53页 |
| ·几种影响磁电阻温度依赖性的机理模型的介绍 | 第36-41页 |
| ·Helman模型 | 第36-38页 |
| ·共隧穿机制 | 第38-39页 |
| ·自旋相关通道和自旋无关通道对磁电阻的影响 | 第39-41页 |
| ·对SFMO/ glass复合样品中磁电阻温度依赖性的探索 | 第41-51页 |
| ·利用双通道模型对实验结果的解释 | 第42-50页 |
| ·利用双通道模型对球磨样品进行分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
