| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·β-C_3N_4的理论预言 | 第10-13页 |
| ·晶态碳氮化合物材料的合成 | 第13-16页 |
| ·本工作目的和意义 | 第16-19页 |
| 第二章 碳氮化合物薄膜的脉冲激光沉积 | 第19-44页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·实验基本原理 | 第20-23页 |
| ·-1 脉冲激光沉积的基本原理 | 第20-21页 |
| ·-2 直流辉光放电辅助材料沉积 | 第21-23页 |
| ·实验装置及工艺参数 | 第23-26页 |
| ·实验检测技术 | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)和能量色散x射线分析(EDX) | 第26页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第26页 |
| ·X射线的衍射分析(XRD) | 第26-27页 |
| ·俄歇电子谱(AES) | 第27页 |
| ·傅立叶红外光谱分析(FTS) | 第27页 |
| ·氮化碳薄膜特性分析 | 第27-34页 |
| ·SEM形貌观测及EDX成分分析 | 第28-29页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第29-31页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第31-34页 |
| ·红外谱分析 | 第34页 |
| ·N_2气体压强对薄膜键合特性的影响 | 第34-37页 |
| ·氮化碳薄膜的晶化 | 第37-38页 |
| ·脉冲辉光放电等离子体辅助PLD(PE-PLD)制备CN薄膜 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-44页 |
| 第三章 碳氮化合物薄膜的辉光放电等离子体辅助化学气相沉积 | 第44-61页 |
| ·引言 | 第44-48页 |
| ·影响晶态sp~3键合结构的碳氮薄膜生长因素分析 | 第44-45页 |
| ·PECVD技术特点及合成晶态碳氮化合物薄膜可行性 | 第45-48页 |
| ·实验方法、装置及工艺参数 | 第48-50页 |
| ·高气压下的PE-CVD制备CN薄膜特性分析 | 第50-59页 |
| ·典型实验条件下制备的CN膜的结构与特性分析 | 第50-53页 |
| ·气体压力对氮化碳薄膜特性的影响 | 第53-57页 |
| ·电流密度对薄膜特性的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 PE-CVD氮化碳薄膜过程的光学发射谱研究 | 第61-74页 |
| ·引言 | 第61-63页 |
| ·实验装置与条件 | 第63-65页 |
| ·等离子体辐射光谱分析 | 第65-66页 |
| ·实验参量对等离子体气相反应过程影响的分析 | 第66-72页 |
| ·氢气含量对气相反应过程的影响 | 第66-69页 |
| ·放电电流对气相反应过程的影响 | 第69-71页 |
| ·气体压强对气相反应过程的影响 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 Si基表面碳氮化合物薄膜的生长机理研究 | 第74-95页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·不同衬底温度下薄膜形貌及晶体结构特征 | 第75-79页 |
| ·Si基晶态碳氮薄膜生长机理探讨 | 第79-88页 |
| ·晶态CN／SiN薄膜生长机理 | 第79-84页 |
| ·晶态SiCN薄膜生长机理 | 第84-88页 |
| ·Si衬底表面处理对晶态CN材料生长特性的影响 | 第88-93页 |
| ·衬底表面金刚石研磨对晶态CN材料生长特性的影响 | 第88-90页 |
| ·催化剂Fe的对晶态CN材料生长特性的影响 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 结束语 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-105页 |
