| 中文摘要 | 第1-11页 |
| 英文摘要 | 第11-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-55页 |
| §1．1 硅的刻蚀和加工研究 | 第19-37页 |
| §1．2 半导体硅的拉曼散射 | 第37-46页 |
| §1．3 自对准硅化物的研究 | 第46-52页 |
| §1．4 本论文工作的设想和目标 | 第52-55页 |
| 第二章 实验 | 第55-71页 |
| §2．1 建立现场研究硅刻蚀的拉曼光谱方法 | 第55-59页 |
| §2．2 试剂 | 第59页 |
| §2．3 电极的制备及预处理 | 第59-60页 |
| §2．4 仪器 | 第60-71页 |
| 第三章 硅刻蚀过程和硅氢表面脱氢氧化过程的现场拉曼光谱研究 | 第71-91页 |
| §3．1 硅表面电化学粗糙过程的拉曼检测 | 第72-76页 |
| §3．2 硅氢电极表面的脱氢氧化过程 | 第76-91页 |
| 第四章 硅的增强拉曼散射 | 第91-129页 |
| §4．1 电磁场谐腔共振拉曼 | 第91-94页 |
| §4．2 共振增强拉曼 | 第94-96页 |
| §4．3 粗糙硅表面的Stokes和anti-Stokes研究 | 第96-98页 |
| §4．4 共振拉曼效应的应用 | 第98-102页 |
| §4．5 电化学制备拉曼增强的硅表面 | 第102-129页 |
| 第五章 光电诱导刻蚀形成多孔硅的现场光致发光研究 | 第129-145页 |
| §5．1 多孔硅形成过程的现场PL检测 | 第130-133页 |
| §5．2 激光功率对多孔硅形成的影响 | 第133-135页 |
| §5．3 阳极极化和电极电阻对多孔硅形成的影响 | 第135-145页 |
| 第六章 拉曼光谱技术研究硅化钴的形成过程 | 第145-178页 |
| §6．1 硅化钴形成过程的非现场拉曼检测 | 第147页 |
| §6．2 退火温度对硅化钴形成的影响 | 第147-149页 |
| §6．3 退火时间对硅化钴形成的影响 | 第149-150页 |
| §6．4 硅化钴的热稳定性 | 第150-151页 |
| §6．5 杂质对硅化物形成过程的影响 | 第151-156页 |
| §6．6 氢气气氛中镀钴硅样品的退火反应 | 第156-178页 |
| 作者攻读博士学位期间发表与交流的论文 | 第178-181页 |
| 致谢 | 第181页 |