| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 半导体工艺简介 | 第7-11页 |
| ·半导体集成电路工业简介 | 第7-8页 |
| ·半导体集成电路工艺简介 | 第8-11页 |
| 第二章 浅沟槽隔离工艺简介 | 第11-17页 |
| ·结隔离 | 第11-12页 |
| ·介电质隔离 | 第12-13页 |
| ·局部氧化隔离（LOCOS）工艺 | 第13-15页 |
| ·浅沟槽隔离（STI）工艺 | 第15-17页 |
| 第三章 化学气相沉积工艺简介 | 第17-33页 |
| ·化学气相沉积的特点 | 第17-18页 |
| ·沉积薄膜的形成过程 | 第18-23页 |
| ·凝结过程 | 第18-20页 |
| ·核形成与生长过程 | 第20-22页 |
| ·岛形成与结合生长的过程 | 第22-23页 |
| ·化学气相沉积的基本原理 | 第23-26页 |
| ·化学气相沉积的分类 | 第26-33页 |
| ·常压化学气相沉积 | 第27-28页 |
| ·低压化学气相沉积 | 第28页 |
| ·半大气压化学气相沉积 | 第28页 |
| ·等离子体化学气相沉积 | 第28-31页 |
| ·高密度等离子体化学气相沉积 | 第31-33页 |
| 第四章 浅沟槽隔离工艺实验设备介绍 | 第33-44页 |
| ·等离子体物理 | 第34-40页 |
| ·等离子体物理发展简史 | 第34页 |
| ·等离子体的定义 | 第34-36页 |
| ·等离子体的描述方法 | 第36-37页 |
| ·等离子体的重要特征 | 第37-40页 |
| ·高密度等离子体工艺特点 | 第40-44页 |
| ·高密度等离子体的产生 | 第40-41页 |
| ·高密度等离子体工艺的特点 | 第41-44页 |
| 第五章 浅沟槽隔离工艺的工艺参数对其工艺的影响及数据分析 | 第44-56页 |
| ·对沉积速率的影响 | 第44-47页 |
| ·调整氧气（O_2）或硅烷（SiH_4）气体流量对沉积速率的影响 | 第44-46页 |
| ·调整Top RF或Side RF能量对沉积速率的影响 | 第46-47页 |
| ·调整反应室反应压力对沉积速率的影响 | 第47页 |
| ·对溅射（sputter）速率的影响 | 第47-49页 |
| ·调整Bias RF能量对溅射速率的影响 | 第47-48页 |
| ·调整氩气（Ar）气体流量对溅射速率的影响 | 第48-49页 |
| ·调整氧气（O_2）气体流量对溅射速率的影响 | 第49页 |
| ·D/S的影响 | 第49-51页 |
| ·提高填洞能力的实验 | 第51-54页 |
| ·实验结论 | 第54-56页 |
| 第六章 浅沟槽隔离工艺的发展前景展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
